Transistör devresinin değişen koşullar altında çalışma noktasını (Q noktası) koruma yeteneğini ifade eden bir transistörün öngerilim kararlılığı çeşitli faktörlerden etkilenir. Önemli faktörlerden biri sıcaklık değişimidir. Transistörler sıcaklık değişimlerine karşı duyarlıdır ve sıcaklıktaki değişimler çalışma noktasının değişmesine neden olarak öngerilimde kararsızlığa yol açabilir. Bunu hafifletmek için, ısı emiciler veya sıcaklık dengeleme devreleri gibi termal yönetim teknikleri genellikle transistörün önyargısını bir dizi sıcaklık üzerinde stabilize etmek için kullanılır.
Bir transistörlü amplifikatörün öngerilimindeki dengesizlik, besleme voltajındaki değişikliklerden de kaynaklanabilir. Güç kaynağındaki dalgalanmalar veya gürültü, öngerilim dirençlerini veya transistör devresinin DC öngerilim ağını etkileyerek Q noktasının kaymasına neden olabilir. Bu kararsızlık, kararlı ve iyi düzenlenmiş güç kaynaklarının kullanılmasının yanı sıra, besleme voltajı değişimlerini azaltmak için filtreleme veya dekuplaj kapasitörlerinin eklenmesiyle en aza indirilebilir.
Bir transistörlü amplifikatördeki Q noktasının kararlılığı, bileşen toleranslarından ve eskime etkilerinden daha da etkilenir. Üretim toleransları veya eskime nedeniyle direnç değerlerinde, kapasitör parametrelerinde veya transistör özelliklerinde meydana gelen değişiklikler, zaman içinde veya devrenin farklı birimleri arasında Q noktasında değişikliklere yol açabilir. Sıkı toleranslara ve uzun vadeli stabilite derecelerine sahip bileşenlerin dikkatli seçimi, öngerilim stabilitesinin iyileştirilmesine ve transistör amplifikatörünün tutarlı performansının korunmasına yardımcı olabilir.
Bir transistördeki öngerilim koşulları, istenen çalışma noktasını oluşturmak için transistörün tabanına, vericisine ve toplayıcı terminallerine uygulanan spesifik voltaj ve akımları ifade eder. Önyargı koşulları, optimum kazanç, doğrusallık ve verimlilik elde etmek gibi uygun transistör çalışmasını sağlamak için çok önemlidir. Öngerilim ağı tipik olarak bu çalışma koşullarını ayarlamak ve stabilize etmek için yapılandırılmış dirençler ve bazen kapasitörler içerir.
Genellikle stabilite marjı veya stabilite kriteri olarak adlandırılan bir transistörün stabilite faktörü, transistör devresinin sıcaklık, besleme voltajı ve bileşen parametrelerindeki değişikliklere karşı Q noktasını ne kadar sağlam koruduğunu ölçer. Güvenilir ve öngörülebilir devre performansını sağlamak için kararlılık faktörünün mümkün olduğu kadar yüksek olması arzu edilir. Geri besleme ağları, termal kompanzasyon ve titiz bileşen seçimi gibi tasarım teknikleri, özellikle zaman ve çevre koşulları boyunca tutarlı performansın kritik olduğu uygulamalarda, transistör devrelerinde yüksek stabilite faktörlerini elde etmek için kullanılır.