Z określonych powodów inżynierowie mogą w niektórych zastosowaniach zdecydować się na złączeowy tranzystor polowy (JFET) zamiast tranzystora polowego typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET). Jedną z głównych zalet tranzystora JFET jest jego prostsza konstrukcja i działanie w porównaniu z tranzystorami MOSFET. Tranzystory JFET nie wymagają warstwy tlenku bramki ani złożonego mechanizmu sterującego, jak to ma miejsce w przypadku tranzystorów MOSFET, co czyni je łatwiejszymi w produkcji i potencjalnie bardziej wytrzymałymi w niektórych zastosowaniach. Ponadto tranzystory JFET zazwyczaj charakteryzują się niższą pojemnością wejściową niż tranzystory MOSFET, co może być korzystne w zastosowaniach wymagających wysokiej częstotliwości, gdzie minimalizacja pojemności ma kluczowe znaczenie dla wydajności.
Decyzja o zastosowaniu JFET zamiast MOSFET zależy również od wymagań aplikacji. JFET mają niższą impedancję wejściową i ogólnie są bardziej odpowiednie dla stopni wejściowych o wysokiej impedancji wzmacniaczy i obwodów analogowych, gdzie ważna jest wierność sygnału i niski poziom szumów. Natomiast tranzystory MOSFET są często preferowane w obwodach cyfrowych i zastosowaniach wymagających dużych prędkości przełączania, niskiego zużycia energii i kompatybilności z obwodami scalonymi ze względu na łatwość ich produkcji i skalowalność.
W porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (BJT), tranzystory JFET oferują zalety w niektórych scenariuszach. JFET nie mają wtrysku nośnej mniejszościowej i są urządzeniami sterowanymi napięciem, podczas gdy BJT są urządzeniami sterowanymi prądem z wtryskiem nośnej mniejszościowej. Ta różnica zapewnia tranzystorom JFET niższy poziom szumów i wyższą impedancję wejściową, dzięki czemu nadają się one do wzmacniaczy o niskim poziomie szumów i zastosowań wymagających wysokiej impedancji wejściowej. W przeciwieństwie do tego, BJT są często wybierane ze względu na większe wzmocnienie prądowe i większe prędkości przełączania w obwodach cyfrowych i analogowych, gdzie wzmocnienie prądu i przełączanie mają kluczowe znaczenie.
Wybór pomiędzy BJT a MOSFET zależy w dużej mierze od wymagań aplikacji. BJT są zwykle używane w zastosowaniach, w których potrzebne jest duże wzmocnienie prądowe, niski poziom szumów i wzmocnienie liniowe, na przykład we wzmacniaczach audio i obwodach przetwarzania sygnału analogowego. Z drugiej strony tranzystory MOSFET wyróżniają się w obwodach cyfrowych ze względu na ich zdolność do szybkiego przełączania, obsługę wysokich częstotliwości i zużywają mniej energii w porównaniu do BJT. Są szeroko stosowane w cyfrowych bramkach logicznych, mikroprocesorach i obwodach scalonych, gdzie istotne są szybkie przełączanie i niskie zużycie energii.
Podsumowując, wybór tranzystora JFET zamiast MOSFET-u lub BJT zależy od czynników, takich jak specyficzne wymagania aplikacji, pożądana charakterystyka wydajności (taka jak impedancja wejściowa, poziom szumów, prędkość przełączania) i łatwość integracji z ogólnym projektem obwodu. Każdy typ tranzystora oferuje odrębne zalety, które czynią go odpowiednim dla różnych typów obwodów i systemów elektronicznych.