Electrotopic.com

Jeśli dodatnie napięcie VGS (napięcie między bramką a źródłem) zostanie przyłożone do JFET (tranzystor polowy połączeniowy), tranzystor będzie działał w sposób zależny od jego typu. W przypadku n-kanałowego JFET, który jest najpopularniejszym typem, dodatni VGS (w którym bramka jest bardziej dodatnia niż źródło) wytworzy pole elektryczne, które odpycha dziury w obszarze kanału typu p pod … Dowiedz się więcej

Źródło światła diody laserowej jest generowane w samym materiale półprzewodnikowym w procesie zwanym emisją wymuszoną. W przeciwieństwie do tradycyjnych źródeł światła, które emitują światło w wyniku promieniowania cieplnego lub w inny sposób, diody laserowe wytwarzają światło wykorzystując zjawisko rekombinacji elektronów i dziur w materiale półprzewodnikowym. Ten proces rekombinacji uwalnia fotony światła, które są następnie wzmacniane … Dowiedz się więcej

„Napięcie pinch” ogólnie odnosi się do napięcia, przy którym występuje zjawisko zwane „pinch-off” w niektórych urządzeniach elektronicznych, szczególnie w tranzystorach polowych (FET), takich jak JFET (złączowe tranzystory polowe). Jest to napięcie, przy którym kanał pomiędzy źródłem a zaciskami drenu tranzystora FET jest całkowicie zwężony, co prowadzi do znacznego zmniejszenia przepływu prądu przez urządzenie. To zwężenie … Dowiedz się więcej

Obwód mocy i obwód sterowania służą różnym celom w układach elektrycznych. Obwód mocy jest odpowiedzialny za przenoszenie i kontrolowanie mocy elektrycznej, która napędza główną funkcję urządzenia lub systemu. Zwykle obejmuje komponenty, takie jak przełączniki, bezpieczniki, wyłączniki automatyczne, przewody i samo obciążenie. Obwód zasilania obsługuje wysokie prądy i napięcia wymagane do obsługi maszyn, urządzeń lub innych … Dowiedz się więcej

Szybkość tranzystorów, takich jak BJT (tranzystory bipolarne) i MOSFET (tranzystory polowe z metalicznym tlenkiem i półprzewodnikami), zależy od różnych czynników, w tym ich budowy, zastosowania i warunków pracy. Ogólnie rzecz biorąc, tranzystory MOSFET są uważane za szybsze niż BJT. Tranzystory MOSFET mają niższą pojemność wejściową i mogą włączać się i wyłączać szybciej niż tranzystory BJT … Dowiedz się więcej

Zasilacz prądu przemiennego (prądu przemiennego) jest stosowany w domach przede wszystkim ze względów historycznych, względów praktycznych i zalet technicznych. Jednym z kluczowych powodów stosowania prądu przemiennego w domach jest jego wydajna transmisja na duże odległości. AC można łatwo przekształcić na wyższe napięcie za pomocą transformatorów, co zmniejsza straty energii podczas przesyłu. Zdolność ta ma kluczowe … Dowiedz się więcej

Tak, teoretycznie możliwe jest wykorzystanie energii pochodzącej z piorunów, jednak w praktyce wiąże się to z poważnymi wyzwaniami. Piorun wytwarza w bardzo krótkim czasie ogromne ilości energii, którą można potencjalnie przechwycić i przekształcić w użyteczną energię elektryczną. Jednak nieprzewidywalność, intensywność i wysokie napięcie uderzeń piorunów utrudniają opracowanie niezawodnych i bezpiecznych metod ujarzmienia tej energii na … Dowiedz się więcej

Tryb odzyskiwania termostatu zazwyczaj odnosi się do funkcji, w której termostat dostosowuje ustawienie temperatury przed zaplanowaną zmianą programu, aby zapewnić osiągnięcie żądanej temperatury w zaprogramowanym czasie. Na przykład, jeśli termostat jest ustawiony na podwyższanie temperatury o 8:00, tryb odzyskiwania może rozpocząć dostosowywanie temperatury wcześniej, aby osiągnąć nowe ustawienie o 8:00, optymalizując komfort i efektywność energetyczną. … Dowiedz się więcej

Główna różnica między MOSFET (tranzystor polowy metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy) a HEMT (tranzystor o wysokiej mobilności elektronów) polega na zastosowanych w nich materiałach półprzewodnikowych i zasadach działania. MOSFET zazwyczaj wykorzystuje podłoże krzemowe i działa w oparciu o modulację przewodności kanału przez pole elektryczne przyłożone do bramki izolowanej cienką warstwą tlenku. Jest szeroko stosowany w obwodach cyfrowych i analogowych … Dowiedz się więcej