Różnice pomiędzy UJT (tranzystorem unijunction) i FET (tranzystorem polowym) polegają przede wszystkim na ich budowie i zasadzie działania. UJT to trójzaciskowe urządzenie półprzewodnikowe o unikalnej strukturze składającej się z pręta z lekko domieszkowanego materiału typu N i dwóch silnie domieszkowanych obszarów typu P. Działa w oparciu o modulację swojej rezystancji wewnętrznej przez zewnętrzne napięcie przyłożone do jego bramki (zwanej emiterem). UJT są stosowane głównie w obwodach oscylatorów i generatorach impulsów ze względu na ich charakterystyczne zachowanie w zakresie ujemnej rezystancji.
Z drugiej strony tranzystory FET są klasyfikowane w szerszej kategorii tranzystorów i działają wykorzystując pole elektryczne do kontrolowania przewodności kanału w materiale półprzewodnikowym (typu N lub typu P). Występują w kilku typach, w tym MOSFET (FET z tlenkiem metalu i półprzewodnikiem) i JFET (tranzystory polowe złączowe). Tranzystory FET są znane ze swojej wysokiej impedancji wejściowej i niskich wymagań dotyczących prądu wejściowego, dzięki czemu nadają się do zastosowań przełączających i wzmacniających zarówno w obwodach analogowych, jak i cyfrowych.
Główne różnice między UJT i BJT (tranzystor bipolarny) wynikają z ich podstawowej struktury i sposobu działania. BJT to urządzenia sterowane prądem, w których prąd bazowy steruje większym przepływem prądu kolektor-emiter. Charakteryzują się zazwyczaj niską impedancją wejściową i wzmocnieniem prądowym. Natomiast UJT to urządzenia sterowane napięciem o unikalnej strukturze zoptymalizowanej pod kątem zastosowań z oscylatorami i synchronizatorami, działające z ujemną charakterystyką rezystancji, która różni się od zachowania BJT sterowanego prądem.
Główna różnica między tranzystorami FET a tranzystorami dotyczy ich zasady działania i konstrukcji wewnętrznej. Chociaż oba są urządzeniami półprzewodnikowymi używanymi do wzmacniania i przełączania, tranzystory (w tym BJT i MOSFET) wykorzystują przepływ prądu do kontrolowania prądu wyjściowego. Natomiast tranzystory FET działają w oparciu o napięcie przyłożone do zacisku bramki, które moduluje przewodność kanału między zaciskami źródła i drenu. Ten mechanizm kontroli napięcia zapewnia tranzystorom FET wyższą impedancję wejściową i czyni je odpowiednimi do zastosowań wymagających precyzyjnej kontroli poziomów napięcia i niskiego zużycia energii.
Różnica między JFET (tranzystorem polowym złączowym) a UJT (tranzystorem jednozłączowym), jak opisano w Wikipedii, skupia się przede wszystkim na ich strukturze i zasadach działania. JFET są zwykle zbudowane z materiału półprzewodnikowego z kanałem pomiędzy zaciskami źródła i drenu, kontrolowanym przez napięcie przyłożone do zacisku bramki. Charakteryzują się wysoką impedancją wejściową i są stosowane w zastosowaniach, w których niezbędny jest niski poziom szumów i duże wzmocnienie, np. we wzmacniaczach i obwodach przetwarzania sygnału. Z kolei UJT charakteryzują się specyficzną konstrukcją pręta z emiterem i zaciskami bazowymi, pracującymi z charakterystycznym zachowaniem ujemnej rezystancji. Są one powszechnie stosowane w obwodach oscylatorów i aplikacjach taktowania ze względu na ich unikalne właściwości operacyjne.
Różnica pomiędzy UJT (tranzystorem unijunction) i PUT (tranzystorem unijunction) polega na ich budowie i zastosowaniu. UJT to urządzenia trójzaciskowe o specyficznej konstrukcji prętowej składającej się z emitera, podstawy i drugiej końcówki bazowej. Wykazują ujemną rezystancję, przydatną w obwodach oscylatorów i generatorów impulsów. PUT, znane również jako programowalne UJT, mają podobną strukturę, ale zostały zaprojektowane z dodatkowymi funkcjami programowalnego wyzwalania i kontroli prądu. Są stosowane w zastosowaniach wymagających precyzyjnego taktowania i wyzwalania, oferując elastyczność w projektowaniu obwodów i działaniu w porównaniu z tradycyjnymi UJT.