Tranzystory, choć bardzo wszechstronne i stanowią podstawę współczesnej elektroniki, mają kilka ograniczeń. Jednym ze znaczących ograniczeń jest ich maksymalna zdolność przenoszenia mocy. Tranzystory mogą wytrzymać tylko ograniczoną ilość energii, zanim ulegną przegrzaniu lub uszkodzeniu. Ogranicza to ich zastosowanie w zastosowaniach wymagających dużej mocy, takich jak wzmacniacze mocy lub obwody sterujące silnikami, w których występują wyższe prądy lub napięcia. Aby złagodzić te ograniczenia, często stosuje się mechanizmy chłodzące lub konfiguracje równoległe.
BJT (tranzystory bipolarne) to rodzaj tranzystorów, które mają specyficzne ograniczenia ze względu na swoją konstrukcję i działanie. Jednym z ograniczeń są wymagania dotyczące prądu bazowego, które mogą prowadzić do nieefektywności w zużyciu energii, szczególnie przy wyższych prądach. Ponadto BJT są bardziej podatne na niekontrolowaną niestabilność termiczną w porównaniu z innymi typami tranzystorów, takimi jak tranzystory MOSFET (tranzystory polowe z efektem metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowym), co może ograniczyć ich niezawodność w niektórych zastosowaniach bez odpowiedniego zarządzania temperaturą.
Ograniczenia tranzystorów dotyczące wysokich częstotliwości dotyczą ich zdolności do przełączania lub wzmacniania sygnałów przy wyższych częstotliwościach. Chociaż nowoczesne tranzystory mogą pracować w zakresie częstotliwości mikrofalowych i poza nim, przy bardzo wysokich częstotliwościach mogą wykazywać zmniejszone wzmocnienie, zwiększony szum lub nieliniowe zachowanie. Ogranicza to ich skuteczność w zastosowaniach takich jak telekomunikacja, systemy radarowe i szybkie przetwarzanie danych, gdzie konieczne są rygorystyczne wymagania dotyczące wydajności.
Tranzystory pokonały kilka ograniczeń w porównaniu z lampami próżniowymi, ich poprzednikami w elektronice. Jednym z kluczowych ograniczeń lamp próżniowych był ich duży rozmiar, wysoki pobór mocy i podatność na uszkodzenia mechaniczne z powodu delikatnych elementów wewnętrznych. Tranzystory, jako urządzenia półprzewodnikowe, są znacznie mniejsze, bardziej niezawodne i zużywają mniej energii. Działają również przy niższych napięciach, co przyczynia się do poprawy wydajności i trwałości obwodów elektronicznych.
Awarie tranzystorów mogą mieć różne przyczyny, w tym przeciążenia elektryczne, przeciążenia termiczne, wady produkcyjne i czynniki środowiskowe, takie jak wilgoć i zanieczyszczenie. Przeciążenie elektryczne, gdy tranzystor jest poddawany działaniu napięć lub prądów przekraczających jego specyfikacje znamionowe, może z czasem prowadzić do natychmiastowej awarii lub degradacji. Przeciążenie termiczne występuje, gdy tranzystor się przegrzewa, co może spowodować wewnętrzne uszkodzenie złączy półprzewodników lub warstw metalizacji. Właściwa konstrukcja, odprowadzanie ciepła i obwody ochronne są niezbędne, aby zminimalizować ryzyko awarii tranzystorów w układach elektronicznych.