Termin FET (tranzystor polowy) to szeroka kategoria obejmująca różne typy tranzystorów, w których przewodność między dwoma zaciskami (źródłem i drenem) jest kontrolowana przez pole elektryczne przyłożone do trzeciego zacisku (bramki). MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) to specyficzny typ tranzystora polowego, który zawiera w obszarze bramki strukturę metal-tlenek-półprzewodnik. Dlatego MOSFET jest podzbiorem tranzystorów FET wyróżniającym się strukturą bramki.
Podstawowa różnica między FET i MOSFET polega na ich strukturze bramki i działaniu. Ogólnie rzecz biorąc, tranzystory FET obejmują różne typy, takie jak JFET (tranzystory polowe złączowe) i tranzystory MOSFET. W tranzystorach MOSFET w obszarze bramki zastosowano w szczególności strukturę metalowo-tlenkowo-półprzewodnikową, która pozwala na efektywną kontrolę przewodności tranzystora oraz zapewnia wysoką impedancję wejściową i niskie wymagania dotyczące prądu wejściowego w porównaniu z innymi typami tranzystorów FET.
MOSFET oznacza tranzystor polowy z tlenkiem metalu i półprzewodnikiem. Termin „FET” odnosi się do szerszej kategorii tranzystorów działających na zasadzie efektu polowego, w którym pole elektryczne kontroluje przepływ prądu pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Tranzystory MOSFET nazywane są tranzystorami FET, ponieważ należą do tej kategorii i wyróżniają się zastosowaniem struktury metal-tlenek-półprzewodnik w obszarze bramki, co zwiększa ich wydajność i wszechstronność w porównaniu z innymi typami tranzystorów FET, takimi jak JFET.
Często używamy tranzystorów MOSFET zamiast innych typów tranzystorów FET ze względu na ich korzystne cechy. Tranzystory MOSFET oferują wysoką impedancję wejściową, niskie wymagania dotyczące prądu wejściowego i możliwość szybkiego przełączania przy minimalnych stratach mocy. Te właściwości sprawiają, że tranzystory MOSFET są idealne do zastosowań wymagających wydajnego przełączania mocy, wzmacniania w obwodach audio i częstotliwości radiowych oraz jako podstawowe elementy składowe cyfrowych obwodów logicznych i układów scalonych (IC). Zgodność z technologią CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) sprawia, że są one również szeroko stosowane w nowoczesnej produkcji półprzewodników.
Główna różnica między FET (tranzystorem polowym) a konwencjonalnym tranzystorem bipolarnym (BJT – Bipolar Junction Transistor) polega na ich podstawowej zasadzie działania. Tranzystory FET działają w oparciu o kontrolę przepływu prądu przez pole elektryczne przyłożone do kanału półprzewodnikowego, bez konieczności podawania znacznego prądu wejściowego na końcówkę bramki. Natomiast BJT są sterowane prądem przepływającym przez zacisk bazowy, który moduluje prąd między zaciskami kolektora i emitera. Ta różnica powoduje, że tranzystory FET mają zazwyczaj wyższą impedancję wejściową, mniejsze zużycie energii i większe prędkości przełączania w porównaniu z tranzystorami BJT, co sprawia, że tranzystory FET są korzystne w niektórych zastosowaniach, takich jak przetwarzanie sygnałów o wysokiej częstotliwości, obwody cyfrowe i urządzenia o małej mocy.