Tranzystory MOSFET w trybie wzmacniania są preferowane w porównaniu z tranzystorami MOSFET w trybie zubożenia do celów przełączania, głównie ze względu na ich prostsze sterowanie i charakterystykę niższego zużycia energii. W MOSFET-u ze wzmocnionym trybem pomiędzy zaciskami źródła i drenu nie istnieje żaden kanał bez przyłożonego dodatniego napięcia bramki, co oznacza, że w stanie wyłączonym w naturalny sposób blokuje przepływ prądu. Ta właściwość pozwala na precyzyjną kontrolę operacji przełączania przy minimalnym zużyciu energii, ponieważ MOSFET przewodzi prąd tylko wtedy, gdy jest specjalnie aktywowany przez napięcie przyłożone do zacisku bramki. Natomiast tranzystory MOSFET działające w trybie wyczerpywania mają domyślnie kanał przewodzący i do wyłączenia wymagają ujemnego napięcia bramki-źródła, co komplikuje ich sterowanie i zwiększa pobór mocy w trybie gotowości.
Różnica między tranzystorami MOSFET w trybie wzmocnienia i w trybie wyczerpania polega przede wszystkim na ich domyślnym stanie przewodzenia i charakterystyce sterowania. Tranzystory MOSFET w trybie wzmocnionym wymagają dodatniego napięcia bramki, aby zaindukować kanał przewodzący pomiędzy zaciskami źródła i drenu, skutecznie włączając je w celu umożliwienia przepływu prądu. Natomiast tranzystory MOSFET w trybie zubożenia mają domyślnie kanał przewodzący i wymagają ujemnego napięcia źródła bramki, aby wyczerpać lub zmniejszyć przewodność kanału, powodując ich wyłączenie. Ta zasadnicza różnica w działaniu wpływa na sposób wykorzystania i sterowania tych typów MOSFET w obwodach elektronicznych, szczególnie w zastosowaniach przełączających.
Jeśli chodzi o to, który typ MOSFET jest lepszy, zależy to od konkretnych wymagań aplikacji. Tranzystory MOSFET w trybie ulepszonym są generalnie preferowane w zastosowaniach przełączających, gdzie krytyczne znaczenie ma niskie zużycie energii, precyzyjne sterowanie i duże prędkości przełączania. Ich zdolność do pozostawania wyłączonym bez ciągłego podawania napięcia bramki sprawia, że są wydajne w zastosowaniach wymagających minimalnej mocy w trybie gotowości. Tranzystory MOSFET działające w trybie wyczerpania mogą być korzystne w niektórych zastosowaniach obwodów analogowych, gdzie domyślnie korzystny jest kanał przewodzący, ale są one rzadziej stosowane w nowoczesnych obwodach cyfrowych i obwodach przełączających ze względu na ich wyższy pobór mocy w trybie gotowości i bardziej złożone wymagania sterujące.
Tranzystory MOSFET są preferowane w porównaniu z tradycyjnymi tranzystorami FET (tranzystorami polowymi) przede wszystkim ze względu na ich doskonałą charakterystykę wydajności pod względem szybkości przełączania, wydajności energetycznej i możliwości integracji. Tranzystory MOSFET oferują niższą rezystancję włączenia (R_DS(on)) i pojemność bramki, co pozwala na szybsze przełączanie i mniejsze straty mocy podczas operacji przełączania. Ponadto tranzystory MOSFET mogą być produkowane w mniejszych rozmiarach i wyższej obciążalności prądowej w porównaniu z tradycyjnymi tranzystorami FET, co czyni je idealnymi do projektów układów scalonych o dużej gęstości i zastosowań w energoelektronice, gdzie kluczowymi czynnikami są wydajność i miniaturyzacja.
Różnica między trybem zubożenia a trybem wzmocnienia w tranzystorze o dużej ruchliwości elektronów (HEMT) dotyczy ich domyślnych stanów przewodzenia i charakterystyki operacyjnej. W HEMT w trybie wyczerpywania pomiędzy zaciskami źródła i drenu istnieje kanał przewodzący bez przyłożonego napięcia bramki, podobnie jak w przypadku tranzystorów MOSFET w trybie wyczerpywania. Przyłożenie napięcia bramka-źródło zmniejsza przewodność tego kanału. Natomiast HEMT w trybie wzmocnienia wymagają dodatniego napięcia bramki, aby utworzyć kanał przewodzący pomiędzy zaciskami źródła i drenu, podobnie jak tranzystory MOSFET w trybie wzmocnienia. Wybór pomiędzy HEMT w trybie zubożenia a trybem wzmocnienia zależy od konkretnych wymagań projektowych obwodów, takich jak wzmocnienie sygnału lub zastosowania przełączające, gdzie korzystny może być dowolny domyślny stan przewodzenia.