Tranzystory polowe (FET) są klasyfikowane jako urządzenia jednobiegunowe, a nie urządzenia bipolarne. To rozróżnienie wynika z mechanizmu przewodzenia prądu w tranzystorach FET, który obejmuje przede wszystkim ruch jednego rodzaju nośnika ładunku — albo elektronów (w tranzystorach FET z kanałem N), albo dziur (w tranzystorach FET z kanałem P). W tranzystorach FET przepływ prądu między zaciskami źródła i drenu jest kontrolowany przez pole elektryczne generowane przez napięcie przyłożone do zacisku bramki względem źródła. Ta kontrolowana napięciem przewodność sprawia, że tranzystory FET są wydajne w zastosowaniach wymagających precyzyjnego wzmocnienia napięcia, przełączania lub zmiennej rezystancji.
W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych (BJT), które są urządzeniami bipolarnymi, w których w mechanizmie przewodzenia prądu występują zarówno elektrony, jak i dziury, tranzystory FET działają w oparciu o ruch głównie jednego rodzaju nośnika ładunku. To jednobiegunowe zachowanie upraszcza ich konstrukcję i działanie, czyniąc je odpowiednimi do zastosowań o wysokiej częstotliwości i zmniejszając złożoność związaną z jednoczesnym kontrolowaniem obu typów nośników ładunku.
FET nie jest uważany za tranzystor bipolarny. Termin „tranzystor bipolarny” odnosi się konkretnie do BJT, w których przewodzenie prądu obejmuje ruch zarówno elektronów, jak i dziur w złączach tranzystora. Natomiast tranzystory FET działają na zasadzie kontroli efektu polowego nad nośnikami ładunku, co wyróżnia je jako urządzenia jednobiegunowe, które oferują korzyści pod względem szybkości, wydajności energetycznej i poziomu szumów w obwodach elektronicznych.
Jednobiegunowy tranzystor złączowy nie jest standardowym terminem w fizyce półprzewodników i elektronice. Jeśli jednak mowa o tranzystorach FET, rzeczywiście uważa się je za urządzenia jednobiegunowe ze względu na ich zależność od ruchu jednego rodzaju nośnika ładunku (elektronów lub dziur) w celu przewodzenia prądu. Ta jednobiegunowa charakterystyka ma fundamentalne znaczenie dla ich działania i odróżnia je od bipolarnych tranzystorów złączowych (BJT), które obejmują ruch zarówno elektronów, jak i dziur w ich mechanizmie przewodzenia prądu.
Łącznikowe tranzystory polowe (JFET) są specjalnie klasyfikowane jako urządzenia jednobiegunowe. W tranzystorach JFET przepływ prądu między zaciskami źródła i drenu jest kontrolowany głównie przez napięcie przyłożone do zacisku bramki względem źródła. To kontrolowane napięcie zachowanie wpływa na szerokość kanału przewodzącego w materiale półprzewodnikowym, regulując przepływ prądu albo elektronów (w tranzystorach JFET z kanałem N), albo dziur (w tranzystorach JFET z kanałem P). Ta jednobiegunowa praca sprawia, że tranzystory JFET nadają się do zastosowań wymagających precyzyjnej kontroli napięcia i wysokiej impedancji wejściowej, takich jak wzmacniacze i przełączniki analogowe.
JFET nie są klasyfikowane jako urządzenia bipolarne. Urządzenia bipolarne, takie jak BJT, działają na zasadzie zarówno elektronów, jak i dziur, które przyczyniają się do przewodzenia prądu przez ich złącza. Natomiast tranzystory JFET opierają się wyłącznie na ruchu jednego rodzaju nośników ładunku (elektronów lub dziur) kontrolowanym przez napięcie bramki-źródła. Ta jednobiegunowa charakterystyka odróżnia tranzystory JFET od urządzeń bipolarnych i podkreśla ich wyjątkowe zalety w niektórych zastosowaniach elektronicznych, gdzie krytyczna jest wysoka impedancja wejściowa i działanie sterowane napięciem.