„Napięcie pinch” ogólnie odnosi się do napięcia, przy którym występuje zjawisko zwane „pinch-off” w niektórych urządzeniach elektronicznych, szczególnie w tranzystorach polowych (FET), takich jak JFET (złączowe tranzystory polowe). Jest to napięcie, przy którym kanał pomiędzy źródłem a zaciskami drenu tranzystora FET jest całkowicie zwężony, co prowadzi do znacznego zmniejszenia przepływu prądu przez urządzenie. To zwężenie kanału skutecznie odcina lub znacznie ogranicza prąd przepływający przez tranzystor, w zależności od przyłożonego napięcia.
Termin „napięcie odcięcia” odnosi się w szczególności do napięcia progowego, przy którym kanał tranzystora FET zaczyna się zamykać lub zwierać, zmniejszając w ten sposób przepływ prądu między zaciskami źródła i drenu. Na przykład w tranzystorze JFET ma to miejsce, gdy napięcie bramka-źródło (V_GS) osiąga wartość krytyczną, która powoduje wystarczające rozszerzenie obszaru zubożenia, odcinając przepływ prądu między źródłem a drenem. Napięcie odcięcia jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora FET, określającym zdolność tranzystora do regulowania przepływu prądu i działania jako przełącznik lub wzmacniacz.
Obliczanie napięcia odcięcia wymaga zrozumienia specyficznych właściwości analizowanego tranzystora FET, takich jak poziomy domieszkowania materiału półprzewodnikowego i wymiary struktury tranzystora. W przypadku tranzystora JFET napięcie odcięcia (V_P) można oszacować lub zmierzyć eksperymentalnie w kontrolowanych warunkach, gdzie napięcie dren-źródło (V_DS) jest stopniowo zwiększane, monitorując prąd płynący przez urządzenie. Napięcie odcięcia zwykle odpowiada napięciu źródła bramki (V_GS), przy którym prąd płynący przez tranzystor FET zmniejsza się do określonej małej wartości, często w zakresie mikroamperów.
W kontekście JFET, VP odnosi się do napięcia odcięcia, czyli napięcia bramki-źródła, przy którym prąd płynący przez tranzystor zmniejsza się do bardzo niskiej wartości, skutecznie odcinając kanał. Napięcie to jest krytycznym parametrem w działaniu JFET, określającym jego zdolność do kontrolowania przepływu prądu i pełnienia funkcji rezystora sterowanego napięciem lub przełącznika w obwodach elektronicznych.
Główna różnica między napięciem progowym a napięciem odcięcia polega na ich odpowiednich rolach w różnych typach tranzystorów. Napięcie progowe zazwyczaj odnosi się do napięcia, przy którym MOSFET (tranzystor polowy metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy) zaczyna przewodzić znaczny prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Jest to kluczowy parametr tranzystorów MOSFET, wskazujący napięcie bramka-źródło wymagane do indukowania kanału i rozpoczęcia przewodzenia prądu. Natomiast napięcie odcięcia odnosi się szczególnie do tranzystorów JFET i wskazuje napięcie bramka-źródło, przy którym kanał między źródłem a drenem jest całkowicie zwężony, znacznie zmniejszając lub całkowicie zatrzymując przepływ prądu. Chociaż oba parametry są krytyczne dla działania tranzystora, służą różnym celom i są charakterystyczne dla zasad działania konkretnego typu tranzystora.
