Een veldeffecttransistor (FET) is een type transistor dat een elektrisch veld gebruikt om de geleidbaarheid van een kanaal in een halfgeleidermateriaal te regelen. Het werkt op basis van het principe van het moduleren van de spanning die wordt toegepast op een gate-aansluiting, wat op zijn beurt de geleidbaarheid tussen de source- en drain-aansluitingen verandert. Hierdoor kunnen FET’s fungeren als versterkers of schakelaars in elektronische circuits, en bieden ze een hoge ingangsimpedantie en een lage uitgangsimpedantie in vergelijking met andere typen transistors zoals BJT’s.
De term “FET” verwijst naar een categorie transistors die wordt gekenmerkt door hun werkwijze waarbij gebruik wordt gemaakt van een elektrisch veld (het “veldeffect”) om de stroom te regelen. Dit onderscheidt ze van Bipolar Junction Transistors (BJT’s), die afhankelijk zijn van de beweging van ladingsdragers (elektronen en gaten) door een halfgeleidermateriaal.
FET’s werken door een spanning aan te leggen op de poortaansluiting, waardoor een elektrisch veld over een dunne halfgeleiderlaag (meestal silicium) ontstaat. Dit elektrische veld regelt de geleidbaarheid van het kanaal tussen de source- en drainterminals. Afhankelijk van het type FET (zoals MOSFET’s of JFET’s), kan het kanaal worden uitgebreid of ontdaan van ladingsdragers, waardoor stroom kan stromen of wordt voorkomen.
De naam “FET” weerspiegelt het fundamentele werkingsprincipe van deze transistors: de controle van de stroom door een elektrisch veld. In tegenstelling tot BJT’s, die de stroom regelen via de injectie van ladingsdragers, gebruiken FET’s het veldeffect om vergelijkbare functionaliteit met verschillende prestatiekenmerken te bereiken. Deze naamgevingsconventie onderstreept het unieke mechanisme waarmee FET’s werken in vergelijking met andere typen transistors.