In een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) kunnen de drain- en source-terminals uitwisselbaar zijn in termen van fysieke plaatsing op de halfgeleiderchip. Deze flexibiliteit ontstaat omdat de werking van de MOSFET primair wordt bestuurd door de spanning die wordt aangelegd aan de poortaansluiting ten opzichte van de bronaansluiting. De drain en source onderscheiden zich door hun functies: de drain is waar de stroom het apparaat binnenkomt of verlaat, terwijl de source de plaats is waar de stroom het apparaat binnenkomt of binnenkomt, afhankelijk van of het een N-kanaal of P-kanaal MOSFET is. De richting van de stroom bepaalt de rol van het apparaat als bron of afvoer.
De concentratie doteerstoffen (onzuiverheden die de geleidbaarheid bepalen) kan inderdaad verschillen tussen de source- en drainregio’s in een MOSFET. Deze asymmetrie is typisch bij MOSFET-fabricage om de prestaties van het apparaat te optimaliseren. De uitwisselbaarheid van drain en source in termen van hun fysieke positie impliceert echter niet dat hun doteringsconcentraties identiek moeten zijn. Variaties in de doteerstofconcentratie zijn vaak opzettelijk om specifieke elektrische eigenschappen te bereiken, zoals het verbeteren van de stroomsterkte of het minimaliseren van lekstromen.
In een Junction Field-Effect Transistor (JFET) zijn de source- en drainterminals niet uitwisselbaar vanwege de fysieke constructie en dotering van het halfgeleidermateriaal. JFET’s zijn doorgaans symmetrische apparaten, wat betekent dat de source en drain gelijkwaardig zijn qua structuur en dopingconcentratie. Hun rol wordt echter bepaald door de beïnvloedende omstandigheden: de bron is waar de stroom het apparaat binnenkomt en de afvoer is waar deze het apparaat verlaat.
De stroomstroom in een MOSFET gaat van de drain-terminal naar de source-terminal of omgekeerd, afhankelijk van het type apparaat (N-kanaal of P-kanaal) en de voorspanningsomstandigheden die op de gate-terminal worden toegepast. De controle van de stroom wordt bereikt door het variëren van de spanning die op de gate wordt aangelegd ten opzichte van de source-aansluiting, waardoor de geleidbaarheid van het kanaal tussen de source en drain wordt gemoduleerd.
Als de drain- en source-aansluitingen van een MOSFET per ongeluk met elkaar worden kortgesloten, kan dit leiden tot onjuiste of ongecontroleerde werking van het apparaat. Het kortsluiten van de drain en de source omzeilt effectief het normale regelmechanisme dat door de poortspanning wordt geleverd. Deze situatie kan een overmatige stroom door het apparaat veroorzaken, wat mogelijk kan leiden tot oververhitting, schade of zelfs vernietiging van de MOSFET. Een juist circuitontwerp en -hantering zijn essentieel om dergelijke onbedoelde kortsluitingen te voorkomen en een betrouwbare werking van MOSFET’s in elektronische circuits te garanderen.