I transistor a effetto di campo (FET) sono classificati come dispositivi unipolari anziché bipolari. Questa distinzione deriva dal meccanismo di conduzione della corrente all’interno dei FET, che coinvolge principalmente il movimento di un tipo di portatore di carica: elettroni (nei FET a canale N) o lacune (nei FET a canale P). Nei FET, il flusso di corrente tra i terminali source e drain è controllato dal campo elettrico generato dalla tensione applicata al terminale gate rispetto alla source. Questa conduttività controllata dalla tensione rende i FET efficienti per applicazioni che richiedono amplificazione di tensione precisa, commutazione o resistenza variabile.
A differenza dei transistor a giunzione bipolare (BJT), che sono dispositivi bipolari che coinvolgono sia elettroni che lacune nel loro meccanismo di conduzione di corrente, i FET funzionano in base al movimento prevalentemente di un tipo di portatore di carica. Questo comportamento unipolare ne semplifica la progettazione e il funzionamento, rendendoli adatti per applicazioni ad alta frequenza e riducendo la complessità associata al controllo simultaneo di entrambi i tipi di portatori di carica.
Un FET non è considerato un transistor bipolare. Il termine “transistor bipolare” si riferisce specificamente ai BJT, dove la conduzione di corrente comporta il movimento sia degli elettroni che delle lacune attraverso le giunzioni del transistor. Al contrario, i FET funzionano secondo il principio del controllo dell’effetto di campo sui portatori di carica, distinguendoli come dispositivi unipolari che offrono vantaggi in termini di velocità, efficienza energetica e prestazioni di rumore nei circuiti elettronici.
Un transistor a giunzione unipolare non è un termine standard nella fisica o nell’elettronica dei semiconduttori. Tuttavia, se si fa riferimento ai FET, sono effettivamente considerati dispositivi unipolari perché fanno affidamento sul movimento di un tipo di portatore di carica (elettroni o lacune) per la conduzione di corrente. Questa caratteristica unipolare è fondamentale per il loro funzionamento e li distingue dai transistor a giunzione bipolare (BJT), che comportano il movimento sia di elettroni che di lacune nel loro meccanismo di conduzione di corrente.
I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono specificamente classificati come dispositivi unipolari. Nei JFET, il flusso di corrente tra i terminali source e drain è controllato prevalentemente dalla tensione applicata al terminale gate rispetto alla source. Questo comportamento controllato dalla tensione influisce sulla larghezza del canale conduttivo all’interno del materiale semiconduttore, regolando il flusso di corrente di elettroni (nei JFET a canale N) o di lacune (nei JFET a canale P). Questo funzionamento unipolare rende i JFET adatti per applicazioni che richiedono un controllo preciso della tensione e un’elevata impedenza di ingresso, come negli amplificatori e negli interruttori analogici.
I JFET non sono classificati come dispositivi bipolari. I dispositivi bipolari, come i BJT, funzionano secondo il principio in cui sia gli elettroni che le lacune contribuiscono alla conduzione di corrente attraverso le loro giunzioni. Al contrario, i JFET si basano esclusivamente sul movimento di un tipo di portatore di carica (elettroni o lacune) controllato dalla tensione gate-source. Questa caratteristica unipolare distingue i JFET dai dispositivi bipolari e sottolinea i loro vantaggi unici in alcune applicazioni elettroniche in cui l’elevata impedenza di ingresso e il funzionamento controllato in tensione sono fondamentali.
