Dans une diode à jonction PN, le courant de saturation inverse est dû au flux diffusif des électrons minoritaires de la partie p vers la partie n et des trous mineurs du côté N vers le côté latéral P.
Le courant inversé se produit lorsqu’il y a une tension plus élevée à la sortie d’un système qu’à l’entrée, provoquant le retour du courant dans le système.
Il existe deux sources courantes de tension inverse :
(1) lorsque l’alimentation est déconnectée d’un système.
(2) lorsque la diode du corps FET devient polarisée vers l’avant.
Lorsque la diode est inversée, la largeur de la zone d’appauvrissement augmente, la plupart des vecteurs sont retirés de la jonction et il n’y a pas de courant en raison de la majorité des vecteurs, mais il existe également des paires d’électrons produits thermiquement.
Si ces électrons et ces trous sont générés à proximité de la jonction, alors il y a un flux de courant. La tension négative appliquée à la diode a tendance à attirer les trous ainsi générés et à rejeter les électrons.
Dans le même temps, la tension positive attirera les électrons vers la batterie et rejettera les trous.
Cela fera circuler le courant dans le circuit. Ce courant est généralement très faible (micro-à-nano-ampères).
Étant donné que ce courant est dû aux porteurs minoritaires et que ce nombre de porteurs minoritaires est réglé à une certaine température, le courant est presque constamment connu sous le nom de courant de saturation inverse ICO.
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