Un MOSFET peut être considéré comme une résistance contrôlée en tension dans certaines conditions où sa résistance drain-source (R_DS(on)) varie avec la tension grille-source (V_GS). En fonctionnement linéaire, en particulier dans la région ohmique (lorsque V_DS est petit par rapport à V_GS – V_th), le MOSFET se comporte de la même manière qu’une résistance variable dont la résistance change avec la tension grille-source appliquée. En ajustant la tension grille-source, la résistance effective entre le drain et la source peut être contrôlée, faisant du MOSFET une fonction de résistance contrôlée en tension dans des applications telles que les amplificateurs à gain variable ou les commutateurs analogiques.
Oui, un MOSFET peut être considéré comme une résistance contrôlée en tension dans des configurations de circuit et des conditions de fonctionnement spécifiques. La possibilité de moduler la résistance drain-source (R_DS(on)) avec la tension grille-source (V_GS) permet au MOSFET de se comporter comme une résistance variable dont la résistance peut être ajustée dynamiquement. Cette propriété est utilisée dans les circuits où un contrôle précis de la résistance est requis sur la base d’un signal de tension appliqué, ce qui la distingue d’une résistance fixe traditionnelle.
Un MOSFET est souvent considéré comme une source de courant contrôlée en tension car, dans sa région active, le courant de drain (I_D) est principalement contrôlé par la tension grille-source (V_GS). Lorsqu’il fonctionne dans la région de saturation, le MOSFET se comporte comme une source de courant, fournissant un courant relativement constant déterminé par la tension grille-source et la résistance de charge. Cette caractéristique rend les MOSFET précieux dans des applications telles que les miroirs de courant, où le maintien d’un courant de sortie stable quelles que soient les variations de charge ou de tension d’alimentation est essentiel.
Non, un MOSFET ne peut pas être utilisé comme condensateur contrôlé en tension. Les condensateurs stockent la charge électrique et ont une valeur de capacité qui détermine la quantité de charge qu’ils peuvent stocker par unité de tension appliquée. Les MOSFET, en revanche, ne présentent pas de capacité de la même manière. Bien que les MOSFET aient des capacités inhérentes (telles que la capacité grille-source, C_gs), celles-ci sont parasites et ne sont pas contrôlables de la même manière qu’un condensateur variable. Les condensateurs sont utilisés pour le stockage d’énergie et les applications dépendant de la fréquence, tandis que les MOSFET sont principalement utilisés à des fins de commutation et d’amplification.
Un MOSFET n’est généralement pas appelé source de courant contrôlé en tension (VCCS) de la même manière que les composants actifs spécifiquement conçus pour fonctionner comme sources de courant, tels que les amplificateurs opérationnels configurés avec des résistances de rétroaction. Cependant, en termes pratiques, les MOSFET peuvent se comporter comme des sources de courant contrôlées en tension dans certaines régions de fonctionnement et configurations de circuits. En contrôlant la tension grille-source (V_GS), le MOSFET peut réguler le courant de sortie (I_D) qui le traverse, offrant un certain degré de comportement de la source de courant dans les applications nécessitant des sorties de courant stables avec une dépendance minimale aux variations de charge.