Les MOSFET sont souvent appelés dispositifs contrôlés en tension, car le principal mécanisme permettant de contrôler le courant qui les traverse est la tension appliquée à la borne de grille par rapport à la borne source. Dans un MOSFET, la tension grille-source (V_GS) détermine le champ électrique à travers l’oxyde de grille, qui à son tour contrôle la conductivité du canal entre les bornes de drain et de source. En faisant varier V_GS, le MOSFET peut moduler le flux de courant à travers le canal, le rendant sensible aux changements de tension appliquée et agissant comme une source de courant dépendante de la tension.
En revanche, les transistors à jonction bipolaire (BJT) sont généralement considérés comme des dispositifs contrôlés en courant car le courant de base (I_B) contrôle la conduction entre les bornes de l’émetteur et du collecteur. Le courant de base module les porteurs minoritaires (électrons ou trous) injectés dans la région de base, ce qui affecte à son tour le courant du collecteur (I_C). La quantité d’amplification de courant (β) d’un BJT est principalement déterminée par le rapport entre le courant du collecteur et le courant de base, ce qui le rend intrinsèquement contrôlé en courant.
Les BJT peuvent également fonctionner dans une certaine mesure en mode contrôlé en tension, en particulier dans les applications où des mécanismes de rétroaction ou des arrangements de polarisation contrôlent la tension base-émetteur (V_BE). Cependant, leur fonctionnement fondamental repose sur le contrôle du courant en raison de la physique des processus d’injection et d’amplification des porteurs minoritaires au sein de la structure du transistor.
La distinction entre les MOSFET en tant que dispositifs contrôlés en tension et les BJT en tant que dispositifs contrôlés en courant découle de leurs différentes structures physiques et principes de fonctionnement. Les MOSFET s’appuient sur le champ électrique créé par la tension de grille pour contrôler directement la conductivité du canal, tandis que les BJT utilisent le courant de base pour contrôler indirectement le flux de courant émetteur-collecteur via des mécanismes d’injection de porteurs et de gain de transistor. Ces caractéristiques déterminent la façon dont chaque appareil répond aux signaux de commande et influencent leurs applications dans divers circuits électroniques.