A los MOSFET se les suele denominar dispositivos controlados por voltaje porque el mecanismo principal para controlar la corriente a través de ellos es el voltaje aplicado al terminal de puerta en relación con el terminal de fuente. En un MOSFET, el voltaje puerta-fuente (V_GS) determina el campo eléctrico a través del óxido de puerta, que a su vez controla la conductividad del canal entre los terminales de drenaje y fuente. Al variar V_GS, el MOSFET puede modular el flujo de corriente a través del canal, haciéndolo sensible a los cambios en el voltaje aplicado y actuando como una fuente de corriente dependiente del voltaje.
Por el contrario, los transistores de unión bipolar (BJT) suelen considerarse dispositivos controlados por corriente porque la corriente de base (I_B) controla la conducción entre los terminales del emisor y del colector. La corriente de base modula los portadores minoritarios (electrones o huecos) inyectados en la región de la base, lo que a su vez afecta a la corriente del colector (I_C). La cantidad de amplificación de corriente (β) de un BJT está determinada principalmente por la relación entre la corriente del colector y la corriente de la base, lo que lo hace inherentemente controlado por la corriente.
Los BJT también pueden funcionar en modo controlado por voltaje hasta cierto punto, especialmente en aplicaciones donde mecanismos de retroalimentación o disposiciones de polarización controlan el voltaje base-emisor (V_BE). Sin embargo, su funcionamiento fundamental depende del control de la corriente debido a la física de los procesos de inyección y amplificación de portadores minoritarios dentro de la estructura del transistor.
La distinción entre MOSFET como dispositivos controlados por voltaje y BJT como dispositivos controlados por corriente surge de sus diferentes estructuras físicas y principios operativos. Los MOSFET dependen del campo eléctrico creado por el voltaje de la puerta para controlar la conductividad del canal directamente, mientras que los BJT usan corriente de base para controlar el flujo de corriente emisor-colector indirectamente a través de mecanismos de inyección de portadora y ganancia de transistor. Estas características determinan cómo responde cada dispositivo a las señales de control e influyen en sus aplicaciones en diversos circuitos electrónicos.