Der Begriff FET (Feldeffekttransistor) ist eine weit gefasste Kategorie, die verschiedene Arten von Transistoren umfasst, bei denen die Leitfähigkeit zwischen zwei Anschlüssen (Source und Drain) durch ein an einen dritten Anschluss (Gate) angelegtes elektrisches Feld gesteuert wird. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist ein spezieller FET-Typ, der in seinem Gate-Bereich eine Metalloxid-Halbleiterstruktur enthält. Daher sind MOSFETs eine Untergruppe von FETs, die sich durch ihre Gate-Struktur auszeichnen.
Der grundlegende Unterschied zwischen FET und MOSFET liegt in ihrer Gate-Struktur und Funktionsweise. FETs umfassen im Allgemeinen verschiedene Typen wie JFETs (Junction Field-Effect Transistors) und MOSFETs. MOSFETs nutzen insbesondere eine Metalloxid-Halbleiterstruktur im Gate-Bereich, die eine effiziente Steuerung der Leitfähigkeit des Transistors ermöglicht und im Vergleich zu anderen FET-Typen eine hohe Eingangsimpedanz und einen geringen Eingangsstrombedarf ermöglicht.
MOSFET steht für Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Der Begriff „FET“ bezieht sich auf die breitere Kategorie von Transistoren, die nach dem Feldeffektprinzip arbeiten, bei dem ein elektrisches Feld den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschlüssen steuert. MOSFETs werden FETs genannt, weil sie zu dieser Kategorie gehören und sich durch die Verwendung einer Metalloxid-Halbleiterstruktur in ihrem Gate-Bereich auszeichnen, was ihre Leistung und Vielseitigkeit im Vergleich zu anderen FET-Typen wie JFETs verbessert.
Aufgrund ihrer vorteilhaften Eigenschaften verwenden wir häufig MOSFETs gegenüber anderen FET-Typen. MOSFETs bieten eine hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangsstromanforderungen und die Fähigkeit, schnell mit minimalem Leistungsverlust zu schalten. Diese Eigenschaften machen MOSFETs ideal für Anwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung, Verstärkung in Audio- und Hochfrequenzschaltungen sowie als grundlegende Bausteine in digitalen Logikschaltungen und integrierten Schaltkreisen (ICs) erfordern. Aufgrund ihrer Kompatibilität mit der CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) sind sie auch in der modernen Halbleiterfertigung weit verbreitet.
Der Hauptunterschied zwischen einem FET (Feldeffekttransistor) und einem herkömmlichen Bipolartransistor (BJT – Bipolar Junction Transistor) liegt in ihren grundlegenden Funktionsprinzipien. Der Betrieb von FETs basiert auf der Steuerung des Stromflusses durch ein an einen Halbleiterkanal angelegtes elektrisches Feld, ohne dass ein wesentlicher Eingangsstrom zum Gate-Anschluss erforderlich ist. Im Gegensatz dazu werden BJTs durch den Stromfluss durch den Basisanschluss gesteuert, der den Strom zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen moduliert. Dieser Unterschied führt dazu, dass FETs im Vergleich zu BJTs typischerweise eine höhere Eingangsimpedanz, einen geringeren Stromverbrauch und schnellere Schaltgeschwindigkeiten haben, was FETs für bestimmte Anwendungen wie Hochfrequenzsignalverarbeitung, digitale Schaltkreise und Geräte mit geringem Stromverbrauch vorteilhaft macht.