Os MOSFETs de modo de aprimoramento são preferidos aos MOSFETs de modo de esgotamento para fins de comutação, principalmente devido ao seu controle mais simples e características de menor consumo de energia. Em um MOSFET de modo de aprimoramento, não existe canal entre os terminais de fonte e dreno sem uma tensão de porta positiva aplicada, o que significa que ele bloqueia naturalmente o fluxo de corrente quando desligado. Esta propriedade permite o controle preciso das operações de comutação com mínimo consumo de energia, pois o MOSFET só conduz corrente quando ativado especificamente por uma tensão aplicada ao terminal do portão. Os MOSFETs em modo de esgotamento, por outro lado, possuem um canal condutor por padrão e requerem uma tensão negativa da porta-fonte para serem desligados, o que complica seu controle e aumenta o consumo de energia em espera.
A diferença entre os MOSFETs de modo de aprimoramento e de modo de esgotamento reside principalmente em seu estado condutivo padrão e nas características de controle. Os MOSFETs de modo aprimorado requerem uma tensão de porta positiva para induzir um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno, ativando-os efetivamente para o fluxo de corrente. Em contraste, os MOSFETs em modo de esgotamento têm um canal condutor por padrão e requerem uma tensão negativa da porta-fonte para esgotar ou reduzir a condutividade do canal, desligando-os. Esta diferença fundamental na operação afeta a forma como esses tipos de MOSFET são usados e controlados em circuitos eletrônicos, particularmente em aplicações de comutação.
Em termos de qual tipo de MOSFET é melhor, depende dos requisitos específicos da aplicação. Os MOSFETs de modo aprimorado são geralmente preferidos para aplicações de comutação onde baixo consumo de energia, controle preciso e velocidades de comutação rápidas são essenciais. Sua capacidade de permanecer desligado sem aplicação contínua de tensão na porta os torna eficientes para aplicações que exigem energia mínima em espera. Os MOSFETs de modo de esgotamento podem ser vantajosos em certas aplicações de circuitos analógicos onde um canal condutor por padrão é benéfico, mas eles são menos comumente usados em circuitos digitais e de comutação modernos devido ao seu maior consumo de energia em espera e requisitos de controle mais complexos.
Os MOSFETs são preferidos aos FETs (transistores de efeito de campo) tradicionais, principalmente devido às suas características de desempenho superiores em termos de velocidade de comutação, eficiência de energia e capacidades de integração. Os MOSFETs oferecem menor resistência (R_DS(on)) e capacitância de porta, permitindo velocidades de comutação mais rápidas e perdas de energia reduzidas durante as operações de comutação. Além disso, os MOSFETs podem ser fabricados com tamanhos menores e maiores capacidades de transporte de corrente em comparação com os FETs tradicionais, tornando-os ideais para projetos de circuitos integrados de alta densidade e aplicações de eletrônica de potência onde a eficiência e a miniaturização são considerações importantes.
A diferença entre o modo de esgotamento e o modo de aprimoramento em um transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT) está relacionada aos seus estados condutores padrão e características operacionais. Nos HEMTs em modo de esgotamento, existe um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno sem qualquer tensão de porta aplicada, semelhante aos MOSFETs em modo de esgotamento. A aplicação de uma tensão porta-fonte reduz a condutividade do canal. Em contraste, os HEMTs de modo de aprimoramento exigem uma tensão de porta positiva para criar um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno, semelhante aos MOSFETs de modo de aprimoramento. A escolha entre HEMTs de modo de esgotamento e modo de aprimoramento depende de requisitos específicos de projeto de circuito, como amplificação de sinal ou aplicações de comutação, onde qualquer estado condutivo padrão pode ser vantajoso.