Het fabricageproces voor bipolaire junctietransistors (BJT’s) wordt minder vaak gebruikt en duurder in vergelijking met metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistors (MOSFET’s), voornamelijk vanwege verschillen in hun structurele complexiteit en productietechnieken. BJT’s vereisen ingewikkeldere processen met doping en nauwkeurige uitlijning van meerdere lagen om de kruispunten te creëren die nodig zijn voor hun werking. Deze complexiteit verhoogt de productiekosten en maakt het fabricageproces uitdagender en tijdrovender in vergelijking met MOSFET’s. MOSFET’s profiteren daarentegen van eenvoudigere productieprocessen die beter compatibel zijn met moderne halfgeleiderfabricagetechnologieën, zoals complementaire metaaloxide-halfgeleiderprocessen (CMOS) die worden gebruikt bij de productie van geïntegreerde schakelingen (IC).
MOSFET’s worden op grotere schaal gebruikt dan BJT’s in de moderne elektronica vanwege de verschillende voordelen die ze bieden. MOSFET’s vertonen een lager energieverbruik, hogere schakelsnelheden en schaalbaarheid naar kleinere formaten vergeleken met BJT’s. Deze kenmerken maken MOSFET’s ideaal voor toepassingen die efficiënt energiebeheer, snel schakelen en integratie in complexe IC’s vereisen. Bovendien kunnen MOSFET’s eenvoudig worden geïntegreerd met CMOS-technologie, waardoor kleinere, dichtere en efficiëntere halfgeleiderapparaten kunnen worden vervaardigd in vergelijking met BJT’s.
MOSFET’s worden over het algemeen als beter beschouwd dan BJT’s voor IC-fabricagetechnologie, voornamelijk vanwege hun compatibiliteit met CMOS-processen. CMOS-technologie maakt de integratie van zowel n-kanaals als p-kanaals MOSFET’s op hetzelfde halfgeleidersubstraat mogelijk, waardoor de constructie van complementaire circuits mogelijk wordt die zeer weinig stroom verbruiken wanneer ze niet worden gebruikt. Deze mogelijkheid is cruciaal voor het ontwerpen van energiezuinige digitale circuits en microprocessors, waarbij stroomverbruik en warmteafvoer kritische factoren zijn. BJT’s zijn daarentegen minder compatibel met CMOS-processen en worden doorgaans gebruikt in specifieke toepassingen waar hun prestatiekenmerken, zoals hoge stroomversterking en weinig ruis, voordelig zijn.
Qua kosten zijn MOSFET’s om verschillende redenen over het algemeen kosteneffectiever dan BJT’s. De eenvoudigere productieprocessen voor MOSFET’s verlagen de productiekosten en verhogen de opbrengst in vergelijking met de complexere fabricagetechnieken die nodig zijn voor BJT’s. Bovendien zorgt de schaalbaarheid van MOSFET’s naar kleinere afmetingen ervoor dat er meer transistors op een enkele halfgeleiderwafel kunnen worden gefabriceerd, waardoor de kosten per transistor verder worden verlaagd in vergelijking met BJT’s. Deze kostenvoordelen dragen bij aan de wijdverbreide acceptatie van MOSFET’s in consumentenelektronica, telecommunicatie en industriële toepassingen.
Verschillende voordelen van MOSFET’s ten opzichte van BJT’s maken ze praktischer voor gebruik in IC’s en processors. MOSFET’s bieden een hogere ingangsimpedantie, waardoor de belastingseffecten in circuits worden verminderd en een gemakkelijkere interface met andere elektronische componenten mogelijk is. Ze hebben ook een lager statisch energieverbruik dankzij hun CMOS-compatibiliteit, waardoor energiezuinige werking in apparaten op batterijen mogelijk is en de warmteontwikkeling in IC’s met hoge dichtheid wordt verminderd. Bovendien kunnen MOSFET’s sneller en met minder vermogensverlies schakelen in vergelijking met BJT’s, waardoor ze geschikt zijn voor snelle digitale logica en geheugencircuits. Deze voordelen maken MOSFET’s tot essentiële componenten in modern IC-ontwerp, waarbij prestaties, efficiëntie en integratiemogelijkheden voorop staan.