MOSFET ve FET arasındaki fark nedir?
FET (Alan Etkili Transistör) terimi, iki terminal (kaynak ve drenaj) arasındaki iletkenliğin üçüncü bir terminale (kapı) uygulanan bir elektrik alanı tarafından kontrol edildiği çeşitli transistör türlerini içeren geniş bir kategoridir. MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör), kapı bölgesinde metal oksit yarı iletken yapı içeren özel bir FET türüdür. Bu nedenle MOSFET, kapı yapısıyla ayırt edilen FET’lerin bir alt kümesidir.
FET ve MOSFET arasındaki temel fark, kapı yapılarında ve işleyişinde yatmaktadır. FET’ler genel olarak JFET’ler (Kavşak Alan Etkili Transistörler) ve MOSFET’ler gibi çeşitli türleri içerir. MOSFET’ler özellikle geçit bölgesinde, transistörün iletkenliğinin verimli bir şekilde kontrol edilmesine olanak tanıyan ve diğer FET türlerine kıyasla yüksek giriş empedansı ve düşük giriş akımı gereksinimlerine olanak tanıyan bir metal oksit yarı iletken yapı kullanır.
MOSFET, Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör anlamına gelir. “FET” terimi, bir elektrik alanının kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki akım akışını kontrol ettiği alan etkisi ilkesine göre çalışan daha geniş transistör kategorisini ifade eder. MOSFET’lere FET’ler denir çünkü bu kategoriye aittirler ve JFET’ler gibi diğer FET türlerine kıyasla performanslarını ve çok yönlülüğünü artıran, geçit bölgelerinde metal-oksit-yarı iletken yapının kullanılmasıyla ayırt edilirler.
Avantajlı özellikleri nedeniyle MOSFET’leri sıklıkla diğer FET türlerine göre kullanırız. MOSFET’ler yüksek giriş empedansı, düşük giriş akımı gereksinimleri ve minimum güç kaybıyla hızlı geçiş yapma yeteneği sunar. Bu özellikler MOSFET’leri verimli güç anahtarlama, ses ve radyo frekansı devrelerinde amplifikasyon gerektiren uygulamalar için ve dijital mantık devrelerinde ve entegre devrelerde (IC’ler) temel yapı taşları olarak ideal hale getirir. CMOS (Tamamlayıcı Metal-Oksit-Yarıiletken) teknolojisiyle uyumlulukları da onları modern yarı iletken üretiminde yaygın olarak kullanılmasını sağlar.
FET (Alan Etkili Transistör) ile geleneksel bipolar transistör (BJT – Bipolar Bağlantı Transistörü) arasındaki temel fark, temel çalışma prensiplerinde yatmaktadır. FET’ler, kapı terminaline önemli bir giriş akımı gerektirmeden, yarı iletken bir kanala uygulanan bir elektrik alanı boyunca akım akışının kontrolüne dayalı olarak çalışır. Buna karşılık, BJT’ler, toplayıcı ve verici terminalleri arasındaki akımı modüle eden baz terminalinden akan akım tarafından kontrol edilir. Bu fark, FET’lerin genellikle BJT’lere kıyasla daha yüksek giriş empedansına, daha düşük güç tüketimine ve daha hızlı anahtarlama hızlarına sahip olmasına neden olur ve bu da FET’leri yüksek frekanslı sinyal işleme, dijital devreler ve düşük güçlü cihazlar gibi belirli uygulamalar için avantajlı hale getirir.