MOSFET, üstün ölçeklenebilirliği ve daha yüksek entegrasyon yoğunluğu nedeniyle entegre çipler için BJT’ye göre daha çok tercih edilir. MOSFET’ler çok küçük yapılabilir; bu, çok sayıda transistörün tek bir çip üzerinde paketlenmesi için çok önemlidir. Bu minyatürleştirme, modern elektroniklerde daha yüksek devre karmaşıklığına ve daha iyi performansa olanak tanır. Ek olarak MOSFET’ler, pille çalışan cihazlar için gerekli olan ve yoğun paketlenmiş devrelerde ısı oluşumunu azaltan daha düşük güç tüketimine sahiptir.
MOSFET’ler, yüksek giriş empedansı ve düşük güç gereksinimleri nedeniyle entegre devrelerde (IC’ler) BJT’lere göre tercih edilir. MOSFET’lerin yüksek giriş empedansı, önceki devre aşamalarından minimum akım çekmeleri, sinyal bütünlüğünü korumaları ve güç tüketimini azaltmaları anlamına gelir. Bu özellik, daha düşük voltajlarda çalışabilme yeteneği ile birleştiğinde, MOSFET’leri daha verimli hale getirir ve IC’lerde tipik olan kompakt, düşük güçlü ortamlar için uygun hale getirir.
MOSFET’ler, IC üretim teknolojisi açısından BJT’lerden daha iyidir çünkü standart silikon işleme teknikleri kullanılarak üretilmeleri daha kolaydır. MOSFET’ler üretim sürecinde daha az adım gerektirir, bu da daha yüksek verim ve daha düşük maliyetlere yol açar. Üretim süreci aynı zamanda MOSFET’lerin elektriksel özellikleri üzerinde hassas kontrole olanak tanır ve bu da onları oldukça güvenilir ve performansta tutarlı kılar; bu da büyük ölçekli entegre devre üretimi için çok önemlidir.
MOSFET’ler, daha hızlı anahtarlama hızları ve daha düşük anahtarlama kayıpları nedeniyle dönüştürücülerde anahtarlama elemanı olarak BJT’lere göre tercih edilir. MOSFET’ler BJT’lerden çok daha hızlı açılıp kapanabilir, bu da güç dönüştürücülerin verimliliğini ve performansını artırır. MOSFET’lerin daha düşük anahtarlama kayıpları, ısı üretimini azaltır ve genel enerji verimliliğini artırır; bu da onları DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi yüksek frekanslı ve yüksek verimli uygulamalar için ideal kılar.
MOSFET’ler, daha yüksek verimlilikleri, daha hızlı anahtarlama hızları ve daha yüksek termal kararlılıkları nedeniyle birçok uygulamada transistörlere (BJT’ler) göre tercih edilir. MOSFET’ler daha az sürücü akımı gerektirir, bu da kontrol devresinde daha düşük güç tüketimine yol açar. Yüksek giriş empedansı ve hızlı yanıt süreleri, onları dijital devrelerden güç yönetimine kadar çok çeşitli uygulamalar için uygun kılar. Düşük voltajlarda verimli çalışabilme ve daha yüksek akım yoğunluklarını idare edebilme yeteneği, bunların modern elektronik cihazlar ve sistemler için uygunluğunu daha da artırır.