MOSFET’ler genellikle voltaj kontrollü cihazlar olarak anılır çünkü içlerinden geçen akımı kontrol eden birincil mekanizma, kaynak terminaline göre kapı terminaline uygulanan voltajdır. Bir MOSFET’te geçit kaynağı voltajı (V_GS), geçit oksit boyunca elektrik alanını belirler ve bu da drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki kanal iletkenliğini kontrol eder. MOSFET, V_GS’yi değiştirerek kanaldaki akım akışını modüle edebilir, böylece uygulanan voltajdaki değişikliklere duyarlı hale gelebilir ve voltaja bağlı bir akım kaynağı gibi davranabilir.
Buna karşılık, iki kutuplu bağlantı transistörleri (BJT’ler) tipik olarak akım kontrollü cihazlar olarak kabul edilir çünkü temel akım (I_B), verici ve toplayıcı terminaller arasındaki iletimi kontrol eder. Baz akımı, baz bölgesine enjekte edilen azınlık taşıyıcılarını (elektronlar veya delikler) modüle eder ve bu da kolektör akımını (I_C) etkiler. Bir BJT’nin akım amplifikasyonunun miktarı (β), öncelikle kolektör akımının taban akımına oranıyla belirlenir, bu da onu doğası gereği akım kontrollü hale getirir.
BJT’ler, özellikle geri besleme mekanizmalarının veya öngerilim düzenlemelerinin baz verici voltajını (V_BE) kontrol ettiği uygulamalarda, bir dereceye kadar voltaj kontrollü modda da çalışabilir. Bununla birlikte, bunların temel işleyişi, transistör yapısı içindeki azınlık taşıyıcı enjeksiyonu ve amplifikasyon işlemlerinin fiziğinden dolayı akım kontrolüne dayanır.
Gerilim kontrollü MOSFET’ler ile akım kontrollü cihazlar olan BJT’ler arasındaki ayrım, farklı fiziksel yapılarından ve çalışma prensiplerinden kaynaklanmaktadır. MOSFET’ler, kanal iletkenliğini doğrudan kontrol etmek için geçit voltajı tarafından oluşturulan elektrik alanına güvenirken, BJT’ler, taşıyıcı enjeksiyon ve transistör kazanç mekanizmaları aracılığıyla dolaylı olarak emitör-toplayıcı akım akışını kontrol etmek için temel akımı kullanır. Bu özellikler, her cihazın kontrol sinyallerine nasıl yanıt vereceğini ve çeşitli elektronik devrelerdeki uygulamalarını nasıl etkileyeceğini belirler.