Bir MOSFET amplifikatörü ve bir BJT amplifikatörü, öncelikle çalışma prensipleri ve özellikleri bakımından farklılık gösterir. MOSFET (Metal Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör) ve BJT (İki Kutuplu Bağlantı Transistörü) amplifikatörleri, sinyalleri yükseltmek için farklı mekanizmalar kullanır. Bir MOSFET amplifikatörü, kaynak ve drenaj terminalleri arasında akan akımı modüle eden kapı terminaline uygulanan voltajı kontrol ederek çalışır. Yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı sergileyerek yüksek giriş empedansı ve verimli voltaj amplifikasyonu gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir. Buna karşılık, bir BJT amplifikatörü, baz-emitör voltajını değiştirerek verici ve toplayıcı terminalleri arasındaki akım akışını kontrol eder. BJT’ler genellikle MOSFET’lere kıyasla daha yüksek akım kazancı ancak daha düşük giriş empedansı sunar; bu da onları akım amplifikasyonu ve orta düzeyde giriş empedansı gerektiren uygulamalar için uygun kılar.
BJT ile amplifikatör arasındaki fark, işlevsel rolleri ve özelliklerinde yatmaktadır. BJT veya Bipolar Bağlantı Transistörü, amplifikatör devrelerinde kullanıldığında akımı yükselten bir tür yarı iletken cihazdır. Transistör yapısındaki yük taşıyıcılarının (elektronlar ve delikler) bağlantı noktaları boyunca hareketine dayalı olarak çalışır. Buna karşılık, bir amplifikatör, BJT’ler, MOSFET’ler veya diğer transistör türlerini kullansın, bir giriş sinyalinin genliğini artırmak için tasarlanmış bir devre veya cihazdır. Dolayısıyla “BJT amplifikatörü” terimi, sinyal amplifikasyonunu elde etmek için aktif bileşenleri olarak BJT’leri kullanan bir amplifikatör devresini ifade eder.
Bir BJT amplifikatörü ile bir FET (Alan Etkili Transistör) amplifikatörü arasındaki fark, öncelikle kullanılan transistörlerin tipinde ve bunların çalışma prensiplerinde yatmaktadır. BJT’ler, emitör ve toplayıcı arasındaki akım akışının, baz emitör gerilimi tarafından modüle edildiği, akım kontrollü cihazlardır. Bunun aksine, FET’ler, kaynak ve drenaj arasında akan akımın kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından kontrol edildiği voltaj kontrollü cihazlardır. FET amplifikatörleri tipik olarak yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı sergiler, bu da onları verimli voltaj amplifikasyonu ve sinyal işleme gerektiren uygulamalar için uygun kılar. Öte yandan BJT’ler, FET’lere kıyasla daha yüksek akım kazancı ancak daha düşük giriş empedansı sunar; bu da onları akım amplifikasyonu ve orta düzeyde giriş empedansı gerektiren uygulamalar için uygun kılar.
BJT yerine MOSFET kullanmak, uygulama gereksinimlerine bağlı olarak çeşitli avantajlar sunar. MOSFET’ler genellikle BJT’lere kıyasla daha yüksek giriş empedansına ve daha düşük çıkış empedansına sahiptir; bu, yüksek frekanslı ve düşük güçlü uygulamalarda daha iyi performansla sonuçlanabilir. MOSFET’ler aynı zamanda termal kaçmaya daha az eğilimlidir ve daha yüksek anahtarlama hızlarına sahiptirler; bu da onları hızlı anahtarlamanın ve minimum ısı üretiminin kritik olduğu anahtarlama uygulamaları için uygun kılar. Ayrıca MOSFET’ler, muadil BJT’lere göre daha düşük voltajlarda çalışıp daha az güç tüketerek birçok elektronik devrede enerji tasarruflu çözümler sunabilmektedir.
BJT ile MOSFET arasındaki fark, yapılarında, çalışma prensiplerinde ve elektriksel özelliklerinde yatmaktadır. Bir BJT (İki Kutuplu Bağlantı Transistörü), yük taşıyıcılarının (elektronlar ve delikler) transistör yapısı içindeki bağlantı noktaları boyunca hareketine dayalı olarak çalışır. Verici ve toplayıcı arasındaki akım akışının baz-emitör voltajı tarafından kontrol edildiği, akım kontrollü bir cihazdır. Buna karşılık, bir MOSFET (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör), kapı terminaline uygulanan voltajın kontrolü yoluyla kaynak ve boşaltma terminalleri arasındaki akımın modülasyonuna dayalı olarak çalışır. MOSFET’ler yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı sergiler, bu da onları verimli voltaj amplifikasyonu ve anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalar için uygun kılar. BJT’ler genellikle MOSFET’lere kıyasla daha yüksek akım kazancı ancak daha düşük giriş empedansı sunar; bu da onları akım amplifikasyonu ve orta düzeyde giriş empedansı gerektiren uygulamalar için uygun kılar.
Bir MOSFET ile bir op-amp (İşlemsel Yükselteç) arasındaki fark, bunların elektronik devrelerdeki işlevsel rollerinde ve uygulamalarında yatmaktadır. MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör), öncelikle elektronik devrelerdeki sinyallerin anahtarlanması ve yükseltilmesi için kullanılan bir transistör türüdür. Geçit terminaline uygulanan voltajı değiştirerek kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki akımın modülasyonuna dayalı olarak çalışır. MOSFET’ler, yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı özellikleri sunarak çeşitli uygulamalarda amplifikatör veya anahtar olarak işlev görebilir.
Öte yandan, bir op-amp, girişlerine uygulanan küçük sinyalleri yükseltmek için özel olarak tasarlanmış özel bir entegre devredir (IC). Op-amp’ler genellikle çok yüksek açık döngü kazancına, hassas diferansiyel girişlere ve düşük çıkış empedansına sahiptir. Sinyal işleme, voltaj yükseltme, filtreleme ve hassas sinyal işleme ve manipülasyon gerektiren diğer uygulamalarda yaygın olarak kullanılırlar. Ayrı bileşenler olan MOSFET’lerin aksine, op-amp’ler, kararlılık, geri bildirim ve performans optimizasyonu için ek devrelerle entegre biçimde paketlenmiş eksiksiz amplifikatör devreleridir. Böylece hem MOSFET’ler hem de op-amp’ler amplifikasyon amacıyla kullanılabilirken, elektronik devrelerde farklı özelliklere ve uygulamalara sahip farklı rollere hizmet ederler.