JFET (Kavşak Alan Etkili Transistör) ile MOSFET (Metal Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör) arasındaki temel fark, yapı ve çalışma prensiplerinde yatmaktadır.
JFET’ler tipik olarak tek parça yarı iletken malzemeden yapılır ve uygulanan bir voltaj aracılığıyla bu kanalın genişliğini kontrol eden üçüncü bir terminal (geçit) ile iki terminal (kaynak ve drenaj) arasında bir kanal oluşturur. Tükenme modunda çalışırlar, yani geçide voltaj uygulanmadığında kanalın normal olarak iletken olduğu anlamına gelir.
Öte yandan, MOSFET’lerin kanaldan ince bir oksit tabakasıyla yalıtılmış bir kapısı vardır (bu nedenle Metal-Oksit-Yarıiletken adı da budur). Tasarımlarına bağlı olarak geliştirme modunda (normalde kapı voltajı olmadan kapalı) veya tükenme modunda (normalde kapı voltajı olmadan açık) çalışabilirler. Kapı voltajı, kaynak ve drenaj arasındaki kanalın iletkenliğini kontrol eder.
Hız açısından MOSFET’ler, yalıtımlı geçit yapıları nedeniyle JFET’lere kıyasla genellikle daha hızlı anahtarlama hızları sunar ve bu da geçit kapasitansının daha hızlı şarj/deşarj olmasına olanak tanır.
“FET” terimi hem JFET’leri hem de MOSFET’leri kapsayan geniş bir terimdir. Bu nedenle tüm MOSFET’ler FET olsa da tüm FET’ler MOSFET değildir. JFET’ler ve MOSFET’ler, alan etkili transistörler olarak ortak sınıflandırmalarına rağmen farklı devre gereksinimlerine ve uygulamalarına hitap ederek yapıları, özellikleri ve çalışma modları açısından önemli ölçüde farklılık gösterir.