Silikon, öncelikle daha yüksek çalışma sıcaklığı aralığı ve daha fazla termal stabilite nedeniyle diyot üretiminde germanyum yerine tercih edilir. Silikon diyotlar, germanyum diyotlara kıyasla performansta önemli bir bozulma olmadan daha yüksek sıcaklıklara dayanabilir, bu da onları zorlu ortamlarda sağlamlık gerektirenler de dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalar için daha uygun hale getirir. Ek olarak silikon, diyot gibi elektronik bileşenlerin üretiminde ve uzun ömürlülüğünde önemli faktörler olan daha iyi mekanik dayanıma ve güvenilirliğe sahiptir.
Çeşitli nedenlerden dolayı genellikle bir germanyum diyot yerine bir silikon diyot tercih edilir. Silikon diyotlar, yaklaşık 0,3 voltluk daha düşük bir ileri voltaj düşüşüne sahip germanyum diyotlarla karşılaştırıldığında, tipik olarak 0,7 volt civarında daha yüksek bir ileri voltaj düşüşüne sahiptir. Silikon diyotlardaki bu daha yüksek ileri voltaj düşüşü, birçok devre tasarımında daha iyi stabilite ve verimlilik sağlar. Silikon diyotlar ayrıca daha düşük kaçak akım ve daha iyi termal kararlılık sergileyerek onları daha güvenilir ve düşük güçlü elektroniklerden yüksek güçlü elektroniklere kadar daha geniş bir uygulama yelpazesi için uygun hale getiriyor.
Hall Etkisi uygulamaları göz önüne alındığında, yük taşıyıcılarının daha yüksek hareketliliği ve Hall Etkisi sensörlerinde daha iyi hassasiyet dahil olmak üzere üstün elektriksel özellikleri nedeniyle silikon (Si), genellikle germanyuma (Ge) göre tercih edilir. Silikon Hall Etkisi sensörleri, özellikle yüksek sıcaklıklarda daha düşük hassasiyet ve performans sorunları yaşayabilen germanyum sensörlere kıyasla manyetik alanların daha doğru ve tutarlı ölçümlerini sağlar. Bu nedenle hassasiyet ve güvenilirliğin kritik olduğu Hall Effect uygulamalarında genellikle silikon bazlı sensörler tercih edilmektedir.
Silikon, bolluğu, üretim kolaylığı ve arzu edilen elektriksel özellikleri nedeniyle diyotlarda kullanılır. Silikon, iletkenliği ve diğer elektriksel özellikleri kontrol etmek için hassas katkılamaya izin veren stabil bir kristal yapıya sahiptir. Ayrıca germanyumla karşılaştırıldığında daha yüksek bant aralığı enerjisine sahiptir, bu da daha yüksek sıcaklıklarda daha iyi performans sağlar ve diyot uygulamalarında kaçak akımları azaltır. Bu özellikler, silikonu elektronik ve elektrik mühendisliğinde çok çeşitli performans gereksinimlerini karşılayan diyotlar üretmek için çok yönlü bir yarı iletken malzeme haline getirir.
Yarı iletken özellikleri açısından silikonun (Si), birçok pratik uygulama için genellikle germanyumdan (Ge) daha iyi bir yarı iletken olduğu kabul edilir. Silikon, daha yüksek sıcaklıklarda etkili bir şekilde çalışmasına olanak tanıyan ve germanyumla karşılaştırıldığında içsel taşıyıcı konsantrasyonunu azaltan daha yüksek bir bant aralığı enerjisine sahiptir. Bu, silikon cihazlarda daha düşük kaçak akımlara ve daha iyi termal stabiliteye neden olur. Silikon ayrıca germanyumla karşılaştırıldığında daha bol miktarda bulunur ve büyük miktarlarda üretilmesi daha ucuzdur. Genel olarak bu faktörler, silikonun modern yarı iletken cihazlarda yaygın olarak kullanılmasına katkıda bulunur ve bu da onu çeşitli elektronik uygulamalarda germanyum yerine tercih edilen bir seçim haline getirir.