Elektronik

Dirençler polariteye sahip olmayan pasif elektronik bileşenlerdir. Pozitif ve negatif terminalleri için belirli yönelimlere sahip kapasitörler veya diyotlar gibi bileşenlerin aksine, dirençler, işlevselliklerini etkilemeden bir devre içerisinde herhangi bir yönde bağlanabilir. Bunun nedeni, dirençlerin, akımın yönüne bağlı olmayan, içlerinden geçen akımın akışına ve aralarındaki voltaj düşüşüne bağlı olarak çalışmasıdır. Dirençler öncelikle polarize değildir çünkü akım … Devamını oku

Dirençler, yapıldıkları malzemenin kendine özgü bir özelliği olan direnç ilkesi sayesinde elektrik veya akım akışına direnç gösterirler. Akım bir dirençten aktığında, elektronlar direnç malzemesindeki atomlarla çarpışır ve bu da enerji aktarımına neden olur. Bu etkileşim elektron akışını engeller ve elektrik enerjisini ısı enerjisine dönüştürerek direnç içinde dağıtır. Bir direnç, elektron akışına karşı direnç sunarak akıma … Devamını oku

Bir direnç, gerilim veya akımdaki değişikliklerle direncini değiştiren çeşitli faktörler nedeniyle ohm kanununa (V = IR) uymadığı anlamına gelen ohmik olmayan hale gelebilir. Yaygın nedenlerden biri sıcaklığa bağımlılıktır. Dirençleri sıcaklıkla değişen malzemelerden yapılmış dirençler, omik olmayan davranış sergileyebilir. Örneğin, bir direncin sıcaklığı arttıkça direnci Ohm kanununun öngördüğü doğrusal ilişkiden saparak artabilir veya azalabilir. Ohmik olmayan … Devamını oku

Doğrultucularda, pratik uygulamalarda doğrultucu devresinin karşılaşacağı tipik direnci simüle etmek için genellikle bir yük olarak bir direnç kullanılır. Bu yük direnci çeşitli amaçlara hizmet eder. İlk olarak, doğrultucunun sağlaması gereken öngörülebilir bir yük akımı sağlayarak doğrultucunun çalışmasını stabilize etmeye yardımcı olur. Bu, redresörün daha tutarlı koşullar altında çalışmasına olanak tanır ve kararsız veya yanlış voltaj … Devamını oku

BJT’ler (İki Kutuplu Bağlantı Transistörleri), MOSFET’lere (Metal Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler) kıyasla daha yüksek güç tüketimi ve daha düşük anahtarlama hızları nedeniyle genellikle VLSI (Çok Büyük Ölçekli Entegrasyon) tasarımlarında kullanılmaz. VLSI devreleri, tek bir çip üzerine entegre edilmiş milyonlarca ila milyarlarca transistör gerektirir ve MOSFET’ler, transistör başına daha düşük güç tüketimi ve daha yüksek … Devamını oku

Kondansatörler, bir dielektrik malzeme ile ayrılmış iki iletken plaka arasında elektrik enerjisini bir elektrik alanı biçiminde depoladıkları için deşarj olmaları için bir direnç gerektirirler. Bir kapasitör belirli bir voltajla yüklendiğinde, elektronların akması ve çevreleriyle potansiyeli eşitlemesi için bir yol sağlanana kadar bu yükü tutar. Bir kondansatörün üzerine yerleştirilen bir direnç, bir deşarj yolu oluşturarak, depolanan … Devamını oku

Bir MOSFET’te (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör), drenaj ve kaynak terminalleri, yarı iletken kalıp üzerindeki fiziksel yerleşim açısından birbirleriyle değiştirilebilir. Bu esneklik, MOSFET’in çalışmasının öncelikle kaynak terminaline göre kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından kontrol edilmesi nedeniyle ortaya çıkar. Drenaj ve kaynak, işlevlerine göre farklılık gösterir: drenaj, akımın cihaza girdiği veya cihazdan çıktığı yerdir; kaynak ise, … Devamını oku

Transistörler çoğu devre uygulamasında kapasitörlerin ve dirençlerin yerini alamaz çünkü farklı temel amaçlara hizmet ederler ve farklı prensiplere göre çalışırlar. Kondansatörler elektrik yükünü depolar ve enerji depolama, filtreleme, birleştirme sinyalleri ve zamanlama devreleri için kullanılır. Dirençler ise elektrik akımının akışını kontrol eder, gücü ısı olarak dağıtır, voltaj seviyelerini ayarlar ve devrenin çalışması ve sinyal koşullandırmayla … Devamını oku

Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT) ve Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör (MOSFET) her ikisi de transistör türüdür, ancak farklı prensiplerle çalışırlar ve farklı özelliklere sahiptirler. BJT, yarı iletken bir malzeme içindeki yük taşıyıcılarının (elektronlar ve delikler) hareketine dayanan, akım kontrollü bir cihazdır. Üç kat yarı iletken malzemeden (P-N-P veya N-P-N) oluşur ve taban terminaline … Devamını oku