Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT) ve Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör (MOSFET) her ikisi de transistör türüdür, ancak farklı prensiplerle çalışırlar ve farklı özelliklere sahiptirler. BJT, yarı iletken bir malzeme içindeki yük taşıyıcılarının (elektronlar ve delikler) hareketine dayanan, akım kontrollü bir cihazdır. Üç kat yarı iletken malzemeden (P-N-P veya N-P-N) oluşur ve taban terminaline uygulanan küçük bir akımı kullanarak verici ve toplayıcı terminalleri arasındaki akım akışını kontrol ederek çalışır.
Bunun aksine, bir MOSFET, bir yarı iletken kanalın iletkenliğinin bir elektrik alanı tarafından modülasyonuna dayanan voltaj kontrollü bir cihazdır. Yalıtkan görevi gören ince bir oksit tabakasıyla (dolayısıyla Metal-Oksit-Yarıiletken adı) kanaldan ayrılan bir kapı elektroduna sahiptir. Kapı terminaline uygulanan voltajı değiştirerek MOSFET, kaynak ve boşaltma terminalleri arasındaki akımın akışını kontrol edebilir. MOSFET’ler, yüksek giriş empedansı ve düşük güç tüketimi nedeniyle dijital ve analog devrelerde yüksek hızlı anahtarlama ve yükseltme için yaygın olarak kullanılır.
“Transistör” terimi genellikle elektronikte yaygın olarak kullanılan iki ana transistör türü olan BJT’leri ve MOSFET’leri ifade etmek için genel bir terim olarak kullanılır. Hem BJT’ler hem de MOSFET’ler amplifikasyon ve anahtarlama fonksiyonlarına sahip olsa da çalışma prensipleri, yapıları ve performans özellikleri önemli ölçüde farklılık gösterir. BJT’ler mevcut amplifikasyon yetenekleri ve MOSFET’lere kıyasla nispeten daha düşük giriş empedansı ile bilinir. MOSFET’ler ise yüksek giriş empedansı, düşük gürültülü çalışma ve verimli anahtarlama özellikleri sunar.
BJT ile MOSFET’leri içeren Alan Etkili Transistör (FET) arasındaki temel fark, çalışma modlarında yatmaktadır. BJT’ler, temel akımın verici ve toplayıcı arasındaki akım akışını kontrol ettiği akım kontrollü cihazlardır. MOSFET’ler de dahil olmak üzere FET’ler, geçit kaynağı voltajının kanal boyunca kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki akım akışını kontrol ettiği voltaj kontrollü cihazlardır. Kontrol mekanizmasındaki bu temel farklılık, BJT’ler ve FET’ler arasında giriş empedansı, güç dağıtımı ve çalışma hızı gibi özelliklerde farklılıklara yol açar.
“Basit transistör” terimi tipik olarak MOSFET’lerin daha karmaşık yapısı ve işleyişine kıyasla BJT’leri ifade eder. BJT’ler, üç yarı iletken katman ve basit öngerilim konfigürasyonları ile basit yapılarıyla bilinir. Tarihsel olarak analog devrelerde amplifikasyon ve anahtarlama uygulamaları için yaygın olarak kullanılmıştır. MOSFET’ler, aynı zamanda transistörlerin yanı sıra, daha yüksek frekanslarda çalışabilme, daha düşük güç tüketimi ve entegre devre teknolojisine uyumluluk nedeniyle daha gelişmiş kabul edilir. Bu nedenle, bir BJT ile “basit bir transistör” arasındaki fark, modern elektronikteki MOSFET’lerin gelişmiş özellikleri ve çok yönlülüğüyle karşılaştırıldığında genellikle BJT’nin temel yapısına ve geleneksel uygulamalarına atıfta bulunur.