Transistörler, modern elektronikte çok yönlü ve temel olmasına rağmen çeşitli sınırlamalara sahiptir. Önemli bir sınırlama, maksimum güç kullanma yetenekleridir. Transistörler aşırı ısınmadan veya hasar görmeden önce yalnızca sınırlı miktarda gücü kaldırabilirler. Bu, daha yüksek akımların veya voltajların söz konusu olduğu güç amplifikatörleri veya motor kontrol devreleri gibi yüksek güçlü uygulamalarda kullanımlarını sınırlar. Bu sınırlamaları azaltmak için sıklıkla soğutma mekanizmaları veya paralel konfigürasyonlar kullanılır.
Bir transistör türü olan BJT’lerin (İki Kutuplu Bağlantı Transistörleri), yapımları ve çalışmaları nedeniyle belirli sınırlamalara sahiptir. Bir sınırlama, özellikle yüksek akımlarda güç tüketiminde verimsizliğe yol açabilen temel akım gereksinimleridir. Ek olarak BJT’ler, MOSFET’ler (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler) gibi diğer transistör türleriyle karşılaştırıldığında termal kaçaklara karşı daha hassastır ve bu da uygun termal yönetim olmadan bazı uygulamalarda güvenilirliklerini sınırlayabilir.
Transistörlerin yüksek frekans sınırlamaları, sinyalleri daha yüksek frekanslarda değiştirme veya yükseltme yetenekleriyle ilgilidir. Modern transistörler mikrodalga frekans aralığı ve ötesinde çalışabilirken, çok yüksek frekanslarda azaltılmış kazanç, artan gürültü veya doğrusal olmayan davranış sergileyebilirler. Bu, katı performans gereksinimlerinin gerekli olduğu telekomünikasyon, radar sistemleri ve yüksek hızlı veri işleme gibi uygulamalardaki etkinliğini sınırlar.
Transistörler, elektronikteki öncülleri olan vakum tüpleriyle karşılaştırıldığında birçok sınırlamanın üstesinden gelmiştir. Vakum tüplerinin önemli sınırlamalarından biri, büyük boyutları, yüksek güç tüketimi ve kırılgan iç bileşenler nedeniyle mekanik arızalara yatkınlığıydı. Katı hal cihazları olan transistörler çok daha küçüktür, daha güvenilirdir ve daha az güç tüketir. Ayrıca daha düşük voltajlarda da çalışırlar, bu da elektronik devrelerde verimliliğin ve uzun ömrün artmasına katkıda bulunur.
Transistörlerin arızaları, elektriksel aşırı gerilim, termal aşırı gerilim, üretim kusurları ve nem ve kirlenme gibi çevresel faktörler gibi çeşitli nedenlerden dolayı meydana gelebilir. Transistörün nominal spesifikasyonlarının ötesinde gerilimlere veya akımlara maruz kaldığı elektriksel aşırı gerilim, anında arızaya veya zamanla bozulmaya neden olabilir. Transistör aşırı ısındığında termal aşırı gerilim meydana gelir ve potansiyel olarak yarı iletken bağlantı noktalarında veya metal kaplama katmanlarında dahili hasara neden olur. Elektronik sistemlerde transistör arızası riskini en aza indirmek için uygun tasarım, ısı emici ve koruyucu devreler önemlidir.