Bir transistörde, cihazın temel yapısını oluşturan hem P tipi hem de N tipi yarı iletkenler kullanılır. Transistörler tipik olarak üç katmandan oluşur: bir yayıcı, bir baz (P tipi veya N tipi olabilir) ve bir toplayıcı. Bir NPN transistöründe verici ve toplayıcı genellikle N tipi bölgelerdir, taban ise P tipidir. Tersine, bir PNP transistöründe verici ve toplayıcı P tipi bölgelerdir ve baz N tipidir. P tipi ve N tipi bölgelerin bu kombinasyonu, transistörlerin akım akışını kontrol etmesine ve sinyalleri etkili bir şekilde yükseltmesine olanak tanır.
Transistör, çalışmasını kolaylaştırmak için hem N tipi hem de P tipi malzemeleri içeren yarı iletken bir cihazdır. Örneğin bir NPN transistöründe taban P tipi, verici ve toplayıcı ise N tipidir. Tersine, bir PNP transistöründe baz N tipidir ve verici ve toplayıcı P tipidir. Bu düzenleme, transistörlerin, baz terminaline uygulanan akıma bağlı olarak verici ve toplayıcı terminaller arasındaki akım akışını kontrol etmesine olanak tanır. Transistör, baz terminalindeki voltajı değiştirerek sinyalleri yükseltebilir veya elektronik devrelerde anahtar görevi görebilir.
CMOS (Tamamlayıcı Metal Oksit-Yarı İletken) teknolojisinde, tamamlayıcı transistör çiftleri oluşturmak için hem P tipi hem de N tipi yarı iletkenler kullanılır: PMOS (P-tipi Metal-Oksit-Yarıiletken) ve NMOS (N-tipi Metal-Oksit) -Yarı iletken). CMOS teknolojisi, düşük güç tüketimi ve yüksek gürültü bağışıklığı nedeniyle dijital entegre devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. PMOS transistörleri, kapı kaynağı voltajı düşük olduğunda (mantık 0) iletir, NMOS transistörleri ise kapı kaynağı voltajı yüksek olduğunda (mantık 1) iletir ve CMOS devrelerinin mantık durumları arasında verimli bir şekilde geçiş yapmasına ve karmaşık mantık işlevlerini gerçekleştirmesine olanak tanır.
Hem N tipi hem de P tipi yarı iletkenler, harici elektrik alanlarından etkilenmediklerinde veya voltaj kaynaklarına bağlanmadıklarında doğal olarak nötrdür. Doğal hallerinde, yarı iletkenler birbirini iptal eden eşit sayıda pozitif ve negatif yük taşıyıcısına (delikler ve elektronlar) sahiptir ve bu da genel olarak nötrlük sağlar. Bununla birlikte, N-tipi ve P-tipi yarı iletkenler bir bağlantı noktası oluşturmak üzere (bir diyot veya transistörde olduğu gibi) birleştirildiğinde, bunların elektriksel özellikleri etkileşime girerek bağlantı noktasının yakınında aşırı taşıyıcıların (elektronlar veya delikler) bulunduğu bölgeler oluşturur. bir tükenme bölgesinin oluşması ve elektronik cihazların çalışmasının sağlanması.
P tipi ve N tipi yarı iletkenlerin kombinasyonu, iki malzemenin buluştuğu bağlantı noktalarının oluşturulmasını içerir. Bu bağlantılar diyotlar ve transistörler gibi yarı iletken cihazlarda gereklidir. P tipi ve N tipi malzemeler bir araya getirildiğinde bir PN eklemi oluştururlar. İleriye dönük bir PN bağlantısında (bir diyot için), deliklerin ve elektronların yeniden birleşimi nedeniyle akım bağlantı noktası boyunca kolayca akabilir. Bir transistörde, yayıcı-taban ve taban-kollektör bölgeleri arasındaki PN bağlantıları, taban terminali aracılığıyla yayıcıdan toplayıcıya doğru akım akışının kontrolüne izin verir. Malzemelerin ve bağlantı oluşumunun bu kombinasyonu, modern elektronikte yarı iletken cihazların çalışması için temel oluşturur.