A velocidade de transistores como BJTs (transistores de junção bipolar) e MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico) depende de vários fatores, incluindo sua construção, aplicação e condições de operação. Em geral, os MOSFETs são considerados mais rápidos que os BJTs. Os MOSFETs têm menor capacitância de entrada e podem ligar e desligar mais rapidamente que os BJTs devido à sua estrutura de porta isolada, o que resulta em tempos de comutação mais rápidos e frequências de comutação mais altas. Esta característica torna os MOSFETs adequados para aplicações de comutação de alta velocidade, como fontes de alimentação, inversores e circuitos digitais.
Os MOSFETs são normalmente mais eficientes que os BJTs em muitas aplicações. A eficiência nos transistores refere-se à eficácia com que eles convertem a energia elétrica em trabalho útil sem perdas. Os MOSFETs têm menor resistência e perdas de comutação em comparação com os BJTs, resultando em maior eficiência em aplicações de comutação. Esta vantagem de eficiência é particularmente significativa na electrónica de potência, onde a minimização das perdas é crucial para a conservação de energia e redução da geração de calor.
A comparação de velocidade entre BJTs e MOSFETs depende do contexto específico e dos requisitos da aplicação. Geralmente, os MOSFETs são mais rápidos em termos de velocidade de comutação devido à sua menor capacitância de entrada e mecanismo de controle de porta. Isso permite que os MOSFETs sejam ligados e desligados mais rapidamente do que os BJTs, tornando-os adequados para aplicações que exigem comutação rápida e operação em alta frequência.
Comparando MOSFETs e IGBTs (transistores bipolares de porta isolada), os MOSFETs são normalmente mais rápidos. Os MOSFETs têm perdas de comutação mais baixas e tempos de comutação mais rápidos em comparação com os IGBTs. Isso torna os MOSFETs mais adequados para aplicações que exigem comutação de alta velocidade, como conversores CC-CC, controle de motores e certos tipos de inversores. Os IGBTs, por outro lado, são mais adequados para aplicações de alta potência onde são necessários alto manuseio de corrente e robustez, mas tendem a ter características de comutação um pouco mais lentas em comparação com os MOSFETs.