O substrato em FETs (transistores de efeito de campo) e MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico) desempenha um papel crucial em sua operação e desempenho. Nos MOSFETs, o substrato é normalmente o material de silício no qual o transistor é fabricado. O substrato é dopado para um tipo específico (tipo n ou tipo p) e serve como base ou base da estrutura do transistor. Ele fornece suporte mecânico para os componentes do transistor e também atua como eletrodo back gate em MOSFETs.
Nos MOSFETs, o objetivo do substrato é principalmente fornecer uma base para a estrutura do transistor e atuar como eletrodo da porta traseira. O substrato é normalmente dopado para ser silício tipo n ou tipo p, dependendo se o MOSFET é um NMOS (MOSFET de canal n) ou PMOS (MOSFET de canal p). O substrato é eletricamente isolado da região do canal e geralmente é conectado à tensão mais negativa do circuito (geralmente aterrado em circuitos digitais) para controlar a tensão limite e garantir a operação adequada do transistor.
O substrato de um transistor refere-se ao material no qual o transistor é construído. Nos MOSFETs, o substrato é normalmente um wafer de silício que foi dopado com impurezas para criar as características elétricas desejadas (tipo n ou tipo p). O substrato fornece suporte estrutural para os componentes do transistor e também desempenha um papel essencial no comportamento elétrico do transistor, particularmente em MOSFETs onde serve como eletrodo de back gate.
Nos JFETs (transistores de efeito de campo de junção), o substrato desempenha um papel semelhante ao dos MOSFETs, mas com algumas diferenças na construção. JFETs são normalmente construídos em um substrato semicondutor (geralmente silício) com uma região de canal entre duas regiões fortemente dopadas chamadas fonte e dreno. O substrato nos JFETs ajuda a sustentar o canal e serve como base para a criação das características elétricas necessárias para controlar o fluxo de corrente através do dispositivo.
Em NMOS (MOSFETs de canal n) e PMOS (MOSFETs de canal p), o substrato refere-se ao material de silício no qual o transistor é fabricado. Para transistores NMOS, o substrato é normalmente silício tipo p, enquanto para transistores PMOS, o substrato é silício tipo n. Essa dopagem do substrato determina o tipo de transistor (NMOS ou PMOS) e influencia suas características elétricas, como tensão limite e tipo de condutividade. O substrato nos transistores NMOS e PMOS fornece a base estrutural e as características elétricas necessárias para a operação desses tipos de MOSFETs em circuitos integrados e outros dispositivos eletrônicos.