Nestes tópicos vamos entender qual é a diferença entre MOSFET e HEMT?
Definição e uso de Mosfet
Mosfet (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico, pronunciado maws-feht) é um tipo especial de transistor de efeito de campo (fet) que funciona variando eletronicamente a largura do canal ao longo do qual o portador de carga (elétron s ou s hole) flui. quanto mais largo for o canal, melhor será o desempenho do dispositivo. o transportador de carga insere o canal em sua origem e sai pelo dreno. a largura do canal é controlada por uma tensão em um eletrodo denominado porta, que está fisicamente localizado entre a fonte e o dreno e é isolado do canal por uma camada muito fina de óxido metálico.
Existem duas maneiras pelas quais o mosfet pode funcionar. o primeiro conhecido como modo de esgotamento. quando não há tensão na porta, o canal mostra sua condutância máxima. à medida que a tensão da porta aumenta (positiva ou negativa, dependendo se o canal é feito de material semicondutor tipo p ou tipo n), a condutividade do canal diminui. a segunda maneira pela qual o mosfet pode operar é chamada de modo adicional. quando não há tensão no portão, não há canais e o dispositivo não está funcionando. canal é produzido aplicando tensão ao portão. quanto maior a tensão da porta, melhor será o desempenho do dispositivo.
O Mosfet tem certas vantagens sobre a junção convencional, ou jfet. como a porta está isolada da linha de energia, não há fluxo de corrente entre a porta e o canal, independentemente da tensão da porta (desde que não se torne tão grande a ponto de causar danos físicos à camada de óxido metálico). assim, o MOSFET tem uma impedância prática ilimitada. isso torna o MOSFET útil para amplificadores de potência. o dispositivo também é adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. alguns circuitos integrados (ICS) contêm pequenos mosfets e são usados em computadores.
Como a camada de óxido é muito fina, o MOSFET é suscetível a danos permanentes por carga eletrostática. mesmo um pequeno acúmulo eletrostático pode destruir os MOSFETs permanentemente. em sinais fracos de radiofrequência (rf), os dispositivos MOSFET geralmente não funcionam tão bem quanto outros tipos de fet.
Definição e uso de Hemt
Elétrons de transistor de alta mobilidade (hemt), também conhecidos como fet de heteroestrutura (hfet) ou fet dopado com modulação (modfet), são transistores de efeito de campo que combinam as junções entre dois materiais com bandgap diferentes (ou seja, heteroína). canal não é uma área dopada (como é comum para MOSFETs). a combinação dos materiais comumente utilizados é gaas com algas, embora haja grande variação, dependendo da aplicação do dispositivo. dispositivos que incorporam mais índio geralmente apresentam melhor desempenho em altas frequências, enquanto nos últimos anos, os montes de nitreto de gálio têm atraído a atenção devido ao seu desempenho de alta potência.
como outros fets, os hemts são usados em circuitos integrados como uma chave liga-desliga digital. Os Fets também podem ser usados como amplificadores para um grande número de correntes usando pequenas tensões como sinais de controle. ambos os usos são possíveis graças às características únicas de tensão da corrente fetal. Os transistores hemt podem operar em frequências mais altas do que os transistores comuns, até frequências de ondas milimétricas, e são usados em produtos de alta frequência, como telefones celulares, receptores de televisão por satélite, conversores de tensão e equipamentos de radar. são amplamente utilizados em receptores de satélite, em amplificadores de baixa potência e na indústria de defesa.
