Por que um BJT é chamado de fonte de corrente controlada por corrente?
Um BJT (transistor de junção bipolar) é chamado de fonte de corrente controlada por corrente porque sua corrente de coletor (I_C) é controlada principalmente pela corrente de base (I_B).
Numa configuração de transistor NPN, por exemplo, um aumento na corrente de base provoca um aumento proporcional na corrente de coletor devido ao processo de amplificação interna do transistor.
Esta relação significa que o BJT atua como uma fonte de corrente onde a corrente do coletor é determinada pela quantidade de corrente de base fornecida, tornando-o uma fonte de corrente controlada por corrente.
Uma fonte de corrente controlada é um tipo de circuito eletrônico ou dispositivo que mantém uma saída de corrente constante, independentemente de alterações na resistência da carga ou outras condições externas. Ele consegue isso ajustando sua impedância interna para garantir uma saída de corrente estável.
As fontes de corrente controlada são essenciais em aplicações onde é necessária uma regulação precisa da corrente, como em circuitos de sensores, processamento de sinais analógicos e amplificadores de modo de corrente.
Um FET (transistor de efeito de campo) é chamado de dispositivo controlado por corrente porque sua corrente de dreno (I_D) é controlada pela tensão porta-fonte (V_GS). Em um FET, a variação da tensão porta-fonte modula a condutividade do canal entre os terminais fonte e dreno, controlando assim a quantidade de corrente que flui através do dispositivo.
Esta regulação de corrente controlada por tensão distingue os FETs dos BJTs, que dependem principalmente da corrente de base para controlar a corrente do coletor.
Um BJT não é considerado um dispositivo controlado por tensão principalmente porque sua corrente de saída (corrente de coletor) é predominantemente controlada pela corrente de entrada (corrente de base). Embora a tensão base-emissor (V_BE) influencie a corrente base (I_B) até certo ponto, o fator chave que determina a corrente do coletor (I_C) é a própria corrente base.
Portanto, os BJTs são classificados como dispositivos controlados por corrente, em vez de dispositivos controlados por tensão, como os FETs, onde a corrente de saída (corrente de dreno) é controlada principalmente pela tensão porta-fonte (V_GS).
Um BJT é chamado de dispositivo bipolar porque opera com ambos os portadores de carga majoritários (elétrons e lacunas) contribuindo para sua operação.
Em um transistor NPN, por exemplo, o fluxo de corrente ocorre devido aos movimentos dos elétrons (portadores majoritários nas regiões do emissor e do coletor) e dos buracos (portadores majoritários na região da base). Este mecanismo de portador duplo distingue os BJTs de dispositivos unipolares como os FETs, que dependem predominantemente de um tipo de portador de carga (elétrons ou lacunas) para a condução de corrente. O termo “bipolar” reflete esta característica dos BJTs envolvendo ambos os tipos de portadores de carga em sua operação.