Um transistor de efeito de campo (FET) não possui características de entrada semelhantes aos transistores de junção bipolar (BJTs) porque é acionado por tensão e não por corrente. Nos FETs, a entrada é controlada por um campo elétrico criado pela tensão aplicada ao terminal da porta, que modula a condutividade do canal entre os terminais fonte e dreno. Essa falta de corrente de entrada resulta em um comportamento diferente em comparação aos BJTs, onde as características de entrada são definidas pela corrente de base e sua relação com a tensão base-emissor.
Os FETs têm alta impedância de entrada porque o terminal da porta é isolado do canal por uma fina camada de óxido nos MOSFETs ou pela junção pn com polarização reversa nos JFETs. Este isolamento significa que praticamente nenhuma corrente flui para o portão, resultando em uma resistência muito alta ao sinal de entrada. A alta impedância de entrada torna os FETs ideais para uso em amplificadores e outras aplicações onde é importante evitar carregar o estágio anterior do circuito.
As características de um transistor de efeito de campo (FET) incluem alta impedância de entrada, que minimiza o efeito de carga nos estágios anteriores de um circuito, e baixa impedância de saída, tornando-os eficazes como buffers. FETs são dispositivos controlados por tensão onde a corrente através do canal entre a fonte e o dreno é controlada pela tensão aplicada à porta. Eles exibem uma região linear onde podem atuar como amplificadores e uma região de saturação onde funcionam como interruptores. Os FETs também costumam ter baixos níveis de ruído e são mais estáveis termicamente em comparação aos BJTs.
A corrente de entrada para um transistor de efeito de campo de junção (JFET) é efetivamente zero porque a junção porta-fonte é polarizada reversamente. Nesta condição de polarização reversa, apenas uma corrente de fuga muito pequena, normalmente na faixa dos nanoampères, flui através da porta. Esta corrente insignificante resulta em quase nenhuma energia sendo retirada do sinal de entrada, o que contribui para a alta impedância de entrada dos JFETs.
O FET é denominado Transistor de Efeito de Campo porque seu funcionamento é baseado no controle do campo elétrico. A tensão aplicada ao terminal da porta cria um campo elétrico que influencia a condutividade do canal semicondutor entre os terminais fonte e dreno. Este efeito de campo modula o fluxo de corrente através do canal, permitindo que o FET funcione como uma chave ou amplificador eletrônico. O nome destaca o mecanismo de ação que distingue os FETs de outros tipos de transistores, como os BJTs, que dependem do controle de corrente.