Tranzystory NMOS (N-kanałowy metal-tlenek-półprzewodnik) i PMOS (P-kanałowy metal-tlenek-półprzewodnik) to typy tranzystorów MOSFET (tranzystory polowe metal-tlenek-półprzewodnik) z różnymi typami domieszkowania kanałów. Tranzystory NMOS mają kanał typu N (przewodnictwo elektronowe), natomiast tranzystory PMOS mają kanał typu P (przewodnictwo dziurowe). Technologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) wykorzystuje tranzystory NMOS i PMOS w sposób uzupełniający, aby osiągnąć niskie zużycie energii i zwiększoną odporność na zakłócenia w układach scalonych.
Logika NMOS wykorzystuje wyłącznie tranzystory NMOS do realizacji bramek i obwodów logicznych. Opiera się na zachowaniu tranzystorów NMOS w celu obniżenia napięć wyjściowych w stronę masy (niski poziom logiczny). Z drugiej strony logika CMOS wykorzystuje tranzystory NMOS i PMOS ułożone w sposób komplementarny. Wykorzystuje tranzystory NMOS do obniżania napięć wyjściowych i tranzystory PMOS do podciągania napięć wyjściowych w kierunku napięcia zasilania (wysoki poziom logiczny), co skutkuje niższym zużyciem energii w porównaniu z logiką NMOS.
Nmosfet (MOSFET z kanałem N) i Pmosfet (MOSFET z kanałem P) odnoszą się do typu MOSFET opartego na domieszkowaniu obszaru kanału. Nmosfet ma kanał typu N i przewodzi elektrony, gdy do bramki zostanie przyłożone napięcie dodatnie względem źródła. Pmosfet posiada kanał typu P i przewodzi dziury po przyłożeniu do bramki napięcia ujemnego względem źródła. Wykazują różne właściwości elektryczne i są wykorzystywane w różnych zastosowaniach w zależności od wymagań obwodu.
Technologia BJT (tranzystor bipolarny) oraz technologie NMOS i CMOS to zasadniczo różne technologie tranzystorowe. BJT wykorzystuje złącza bipolarne (złącza PN) do kontrolowania przepływu prądu przez urządzenie, podczas gdy technologie NMOS i CMOS wykorzystują zasady efektu polowego do kontrolowania prądu przez kanał półprzewodnikowy. Technologia BJT jest starsza i zazwyczaj zużywa więcej energii w porównaniu z technologią CMOS, która jest szeroko stosowana w nowoczesnych układach scalonych ze względu na mniejsze zużycie energii i skalowalność.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) to technologia stosowana do realizacji układów scalonych, w których zastosowano zarówno tranzystory NMOS, jak i PMOS. Technologia CMOS wykorzystuje komplementarne zachowanie tranzystorów NMOS i PMOS, aby osiągnąć niskie zużycie energii i wysoką odporność na zakłócenia. MOSFET (tranzystor polowy z efektem metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowym) to podstawowy element konstrukcyjny technologii CMOS, odnoszący się konkretnie do typu tranzystora stosowanego w obwodach CMOS.