Szybkość tranzystorów, takich jak BJT (tranzystory bipolarne) i MOSFET (tranzystory polowe z metalicznym tlenkiem i półprzewodnikami), zależy od różnych czynników, w tym ich budowy, zastosowania i warunków pracy. Ogólnie rzecz biorąc, tranzystory MOSFET są uważane za szybsze niż BJT. Tranzystory MOSFET mają niższą pojemność wejściową i mogą włączać się i wyłączać szybciej niż tranzystory BJT ze względu na izolowaną strukturę bramki, co skutkuje krótszymi czasami przełączania i wyższą częstotliwością przełączania. Ta cecha sprawia, że tranzystory MOSFET nadają się do zastosowań wymagających szybkiego przełączania, takich jak zasilacze, falowniki i obwody cyfrowe.
W wielu zastosowaniach tranzystory MOSFET są zazwyczaj bardziej wydajne niż BJT. Sprawność tranzystorów odnosi się do tego, jak skutecznie przekształcają one energię elektryczną w użyteczną pracę bez strat. Tranzystory MOSFET mają niższą rezystancję włączenia i straty przełączania w porównaniu do tranzystorów BJT, co skutkuje wyższą wydajnością w zastosowaniach przełączających. Ta przewaga w zakresie wydajności jest szczególnie znacząca w energoelektronice, gdzie minimalizacja strat ma kluczowe znaczenie dla oszczędzania energii i ograniczenia wytwarzania ciepła.
Porównanie prędkości pomiędzy BJT i MOSFET zależy od konkretnego kontekstu i wymagań aplikacji. Ogólnie rzecz biorąc, tranzystory MOSFET są szybsze pod względem szybkości przełączania ze względu na niższą pojemność wejściową i mechanizm kontroli bramki. Dzięki temu tranzystory MOSFET mogą włączać się i wyłączać szybciej niż tranzystory BJT, dzięki czemu nadają się do zastosowań wymagających szybkiego przełączania i pracy z wysoką częstotliwością.
Porównując tranzystory MOSFET i IGBT (tranzystory bipolarne z izolowaną bramką), można stwierdzić, że tranzystory MOSFET są zazwyczaj szybsze. Tranzystory MOSFET mają niższe straty przełączania i krótsze czasy przełączania w porównaniu do tranzystorów IGBT. To sprawia, że tranzystory MOSFET są bardziej odpowiednie do zastosowań wymagających szybkiego przełączania, takich jak przetwornice DC-DC, sterowanie silnikami i niektóre typy falowników. Z drugiej strony tranzystory IGBT lepiej nadają się do zastosowań wymagających dużej mocy, gdzie wymagana jest obsługa wysokiego prądu i wytrzymałość, ale mają zwykle nieco wolniejszą charakterystykę przełączania w porównaniu z tranzystorami MOSFET.