MOSFET można uznać za rezystor sterowany napięciem w pewnych warunkach, gdy jego rezystancja dren-źródło (R_DS(on)) zmienia się wraz z napięciem bramki-źródła (V_GS). W trybie liniowym, szczególnie w obszarze omowym (kiedy V_DS jest mały w porównaniu z V_GS – V_th), MOSFET zachowuje się podobnie do rezystora zmiennego, którego rezystancja zmienia się wraz z przyłożonym napięciem bramka-źródło. Dostosowując napięcie bramki-źródła, można kontrolować efektywną rezystancję pomiędzy drenem a źródłem, dzięki czemu MOSFET działa jako rezystor sterowany napięciem w zastosowaniach takich jak wzmacniacze o zmiennym wzmocnieniu lub przełączniki analogowe.
Tak, MOSFET można uznać za rezystor sterowany napięciem w określonych konfiguracjach obwodów i warunkach pracy. Możliwość modulowania rezystancji dren-źródło (R_DS(on)) napięciem bramki-źródło (V_GS) pozwala tranzystorowi MOSFET zachowywać się jak zmienny rezystor, którego rezystancję można regulować dynamicznie. Właściwość tę wykorzystuje się w obwodach, w których wymagana jest precyzyjna kontrola rezystancji w oparciu o przyłożony sygnał napięciowy, co odróżnia ją od tradycyjnego rezystora stałego.
MOSFET jest często uważany za źródło prądu sterowane napięciem, ponieważ w jego aktywnym obszarze prąd drenu (I_D) jest kontrolowany głównie przez napięcie bramki-źródła (V_GS). Pracując w obszarze nasycenia, MOSFET zachowuje się jak źródło prądu, zapewniając stosunkowo stały prąd określony przez napięcie bramki-źródło i rezystor obciążenia. Ta cecha sprawia, że tranzystory MOSFET są cenne w zastosowaniach takich jak zwierciadła prądowe, gdzie istotne jest utrzymanie stabilnego prądu wyjściowego niezależnie od zmian obciążenia lub napięcia zasilania.
Nie, MOSFET nie może być używany jako kondensator sterowany napięciem. Kondensatory przechowują ładunek elektryczny i mają wartość pojemności, która określa, ile ładunku mogą zgromadzić na jednostkę przyłożonego napięcia. Z drugiej strony tranzystory MOSFET nie wykazują pojemności w ten sam sposób. Chociaż tranzystory MOSFET mają wrodzone pojemności (takie jak pojemność bramki-źródła, C_gs), są one pasożytnicze i nie można ich kontrolować w taki sam sposób, jak kondensator zmienny. Kondensatory służą do magazynowania energii i zastosowań zależnych od częstotliwości, podczas gdy tranzystory MOSFET są używane głównie do celów przełączania i wzmacniania.
MOSFET nie jest zwykle określany jako źródło prądu sterowane napięciem (VCCS) w taki sam sposób, jak aktywne komponenty zaprojektowane specjalnie do działania jako źródła prądu, takie jak wzmacniacze operacyjne skonfigurowane z rezystorami sprzężenia zwrotnego. Jednak w praktyce tranzystory MOSFET mogą zachowywać się jak źródła prądu sterowane napięciem w określonych obszarach roboczych i konfiguracjach obwodów. Kontrolując napięcie bramka-źródło (V_GS), MOSFET może regulować przepływający przez niego prąd wyjściowy (I_D), oferując pewien stopień zachowania źródła prądu w zastosowaniach wymagających stabilnych wyjść prądowych przy minimalnej zależności od zmian obciążenia.