Tranzystor bipolarny (BJT) może w pewnych warunkach działać jak dwie diody, szczególnie biorąc pod uwagę jego wewnętrzną strukturę i zachowanie jego złączy. W BJT istnieją dwa złącza: złącze baza-emiter (złącze BE) i złącze baza-kolektor (złącze BC). Analizując BJT jako dwie diody:
- Złącze baza-emiter (złącze BE) można postrzegać jako diodę spolaryzowaną w kierunku przewodzenia. Podczas pracy, gdy między bazę a emiter przyłożone jest niewielkie napięcie przewodzenia (V_BE), elektrony są wtryskiwane z emitera do obszaru podstawy, tworząc przepływ prądu do przodu. To zachowanie jest podobne do tego, jak dioda przewodzi, gdy jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia.
- Złącze baza-kolektor (złącze BC) można porównać do diody spolaryzowanej odwrotnie. Podczas normalnej pracy złącze baza-kolektor jest spolaryzowane zaporowo, co oznacza, że kolektor ma wyższy potencjał niż baza. To odwrotne odchylenie tworzy obszar zubożenia, który uniemożliwia znaczny przepływ prądu w normalnych warunkach. Jednakże w pewnych trybach pracy lub warunkach awarii złącze BC może wykazywać charakterystykę podobną do diody spolaryzowanej zaporowo.
Chociaż BJT można opisać za pomocą analogii do dwóch diod, należy zauważyć, że BJT jest urządzeniem bardziej złożonym niż dwie oddzielne diody. Jego działanie zależy od interakcji pomiędzy obszarami bazy, emitera i kolektora, a także od wzmocnienia prądowego (β) zapewnianego przez tranzystor. Wzmocnienie to pozwala tranzystorom BJT wzmacniać prąd i kontrolować większe prądy przy stosunkowo małym wejściu prądu bazowego, co czyni je podstawowymi elementami obwodów elektronicznych do wzmacniania i przełączania.
Tranzystor, w tym BJT, nie jest wykonany po prostu przez połączenie dwóch diod. Jest to raczej urządzenie półprzewodnikowe z trzema zaciskami (kolektorem, bazą i emiterem), które działa w oparciu o zasady wtrysku nośnika mniejszościowego i kontroli przepływu prądu przez tranzystor. Chociaż wewnętrzna struktura BJT obejmuje dwa złącza podobne do diod, jego zachowanie i funkcjonalność są wyraźnie różne ze względu na interakcję między tymi złączami i kontrolę prądu przez zacisk bazowy.
Analogia dwóch diod do tranzystora, w szczególności BJT, upraszcza zrozumienie jego wewnętrznej struktury i działania. Wizualizując złącze baza-emiter jako diodę spolaryzowaną w kierunku przewodzenia i złącze baza-kolektor jako diodę spolaryzowaną zaporowo, można wyobrazić sobie, w jaki sposób tranzystor przewodzi i kontroluje przepływ prądu. Ta analogia pomaga w zrozumieniu podstawowego działania tranzystora, w tym funkcji przełączania i wzmacniania, poprzez odniesienie go do znanych zachowań diody w określonych warunkach polaryzacji.
BJT można wykorzystać jako diodę, łącząc ze sobą zaciski podstawy i kolektora, tworząc skutecznie strukturę diodową pomiędzy emiterem a złączem baza-kolektor. W tej konfiguracji złącze baza-emiter działa jak dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia, umożliwiając przepływ prądu z emitera do bazy. To zastosowanie jest czasami stosowane w projektach obwodów, w których wymagana jest funkcja diody, a charakterystyka BJT jest korzystna, na przykład w obwodach kompensacji temperatury lub zwierciadłach prądowych. Specyficzne właściwości BJT, w tym spadek napięcia w kierunku przewodzenia i zdolność przenoszenia prądu, wpływają na jego przydatność i działanie w przypadku stosowania jako dioda w obwodach elektronicznych.
