Tranzystory MOSFET (tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik) oferują kilka zalet w porównaniu z tranzystorami BJT (tranzystory bipolarne), co czyni je preferowanymi w wielu zastosowaniach elektronicznych. Jedną z kluczowych zalet jest ich wysoka impedancja wejściowa, co oznacza, że tranzystory MOSFET wymagają bardzo małego prądu wejściowego do sterowania przełączaniem znacznie większych prądów. Ta cecha skutkuje zmniejszonym zużyciem energii i lepszą wydajnością w porównaniu do BJT, które do działania wymagają znacznego prądu bazowego. Ponadto tranzystory MOSFET mają niższą rezystancję włączenia po pełnym włączeniu, co prowadzi do niższych strat przewodzenia i lepszej wydajności w zastosowaniach wysokoprądowych, takich jak elektronika mocy i obwody przełączające.
Do zalet tranzystorów MOSFET należy również ich zdolność do szybkiego przełączania. Ze względu na brak czasu przechowywania nośników mniejszościowych i brak zmagazynowanego ładunku, tranzystory MOSFET mogą włączać i wyłączać znacznie szybciej niż BJT. Ta duża prędkość przełączania ma kluczowe znaczenie w nowoczesnej elektronice dla osiągnięcia pracy w wysokiej częstotliwości, zmniejszenia strat przełączania i poprawy ogólnej wydajności obwodu. Dlatego tranzystory MOSFET idealnie nadają się do zastosowań, w których istotne jest szybkie przełączanie i precyzyjna kontrola prądu, np. w obwodach cyfrowych, sterowaniu silnikami i zasilaczach.
Tranzystory MOSFET są ogólnie uważane za lepsze przełączniki niż BJT, ponieważ mają niższe napięcie nasycenia i działają z mniejszymi stratami mocy podczas przewodzenia w stanie włączenia. W przeciwieństwie do BJT, tranzystory MOSFET nie wymagają prądu bazowego w celu utrzymania przewodzenia, co skutkuje minimalnym rozpraszaniem mocy po pełnym włączeniu. Ta cecha sprawia, że tranzystory MOSFET nadają się do zastosowań przełączających o wysokiej wydajności, w których krytyczna jest minimalizacja wytwarzania ciepła i strat mocy. Brak prądu bazowego upraszcza również konstrukcję obwodów sterownika i zmniejsza liczbę komponentów w obwodach przełączających, jeszcze bardziej zwiększając ich atrakcyjność jako doskonałych przełączników.
Jeśli chodzi o technologię wytwarzania układów scalonych, tranzystory MOSFET oferują znaczną przewagę nad BJT ze względu na ich kompatybilność z nowoczesnymi procesami produkcji półprzewodników. Tranzystory MOSFET można skuteczniej skalować do mniejszych rozmiarów, co pozwala na większą gęstość integracji i lepszą wydajność układów scalonych (IC). Możliwość miniaturyzacji tranzystorów MOSFET umożliwia tworzenie złożonych układów scalonych z milionami tranzystorów w jednym chipie, wspierając postęp w informatyce cyfrowej, technologiach komunikacyjnych i półprzewodnikowych urządzeniach pamięci.
W porównaniu do tranzystorów JFET (złączowych tranzystorów polowych), tranzystory MOSFET zapewniają kilka zalet wynikających z ich struktury i charakterystyki operacyjnej. Tranzystory MOSFET wykazują lepszą kontrolę nad przewodnością kanału poprzez zastosowanie napięcia bramki, oferując precyzyjną modulację przepływu prądu. Ten mechanizm kontroli bramki umożliwia pracę tranzystorów MOSFET z niższymi prądami upływowymi i lepszą liniowością w porównaniu z tranzystorami JFET, które do sterowania kanałem opierają się na obszarach zubożonych w złączach. Ponadto tranzystory MOSFET zazwyczaj charakteryzują się wyższą impedancją wejściową i większą szybkością przełączania niż tranzystory JFET, co czyni je bardziej odpowiednimi do zastosowań wymagających wysokiej częstotliwości i dużych prędkości, zarówno w obwodach analogowych, jak i cyfrowych. Te zalety sprawiają, że tranzystory MOSFET są wszechstronnymi i wydajnymi komponentami w szerokiej gamie systemów elektronicznych, w których wydajność, niezawodność i skalowalność są najważniejszymi kwestiami.