JFET (tranzystory polowe złączowe) oferują w niektórych zastosowaniach kilka korzyści w porównaniu z BJT (tranzystory bipolarne). Jedną z zalet tranzystorów JFET jest ich wysoka impedancja wejściowa, co czyni je mniej podatnymi na efekty obciążenia w porównaniu z BJT. Ta właściwość umożliwia stosowanie tranzystorów JFET w obwodach, w których krytyczna jest wysoka impedancja i minimalne zniekształcenia sygnału, na przykład w przednich końcówkach wzmacniaczy i przełącznikach analogowych. Ponadto tranzystory JFET działają dobrze przy wyższych częstotliwościach ze względu na ich wewnętrzne pojemności niższe niż pojemności BJT, co czyni je odpowiednimi do zastosowań wymagających szybkiego przełączania lub wzmocnienia.
Zalety JFET w porównaniu z BJT obejmują ich prostszą konstrukcję i działanie. JFET nie wymagają prądów polaryzujących, tak jak BJT, co ułatwia ich łączenie z obwodami cyfrowymi i upraszcza projektowanie obwodów w niektórych zastosowaniach. Ta cecha przyczynia się również do mniejszego zużycia energii w obwodach opartych na JFET w porównaniu z równoważnymi obwodami BJT, co może być korzystne w urządzeniach zasilanych bateryjnie lub w konstrukcjach energooszczędnych.
Główną zaletą JFET jest jego zdolność do zapewnienia bardzo wysokiej impedancji wejściowej w porównaniu do BJT. Ta wysoka impedancja wejściowa pozwala tranzystorom JFET działać jako doskonałe rezystory sterowane napięciem lub przełączniki w obwodach, w których sygnał wejściowy musi zostać zachowany przy minimalnych efektach obciążenia. Ta właściwość sprawia, że tranzystory JFET są szczególnie przydatne we wzmacniaczach audio, obwodach czujników i innych zastosowaniach, w których kluczowa jest wierność i czułość sygnału.
Jedną z głównych zalet tranzystorów FET (tranzystorów polowych) w porównaniu z BJT jest ich działanie sterowane napięciem. Tranzystory FET, w tym JFET i MOSFET, wykorzystują pole elektryczne do kontrolowania przewodności kanału między zaciskami źródła i drenu. Mechanizm ten skutkuje bardzo wysoką impedancją wejściową i niskimi wymaganiami dotyczącymi prądu wejściowego, co jest korzystne w zastosowaniach wymagających wysokiej czułości i niskiego zużycia energii. Natomiast BJT to urządzenia sterowane prądem, które wymagają prądu bazowego do kontrolowania prądu kolektor-emiter, co może prowadzić do większego zużycia energii i bardziej złożonych wymagań dotyczących polaryzacji.
Inżynierowie mogą zdecydować się na użycie FET zamiast BJT z różnych powodów, w zależności od konkretnych wymagań aplikacji. Tranzystory FET oferują takie zalety, jak wysoka impedancja wejściowa, niski poziom szumów i kompatybilność z obwodami cyfrowymi ze względu na ich charakter sterowany napięciem. Te cechy sprawiają, że tranzystory FET nadają się do zastosowań, w których istotne jest niskie zużycie energii, szybkie przełączanie lub precyzyjne przetwarzanie sygnału. Ponadto tranzystory FET są często preferowane w projektowaniu obwodów scalonych (IC) ze względu na łatwość ich wytwarzania i kompatybilność z technologią CMOS, która jest szeroko stosowana w nowoczesnych procesach produkcji półprzewodników.