Podłoże w tranzystorach FET (tranzystorach polowych) i MOSFET (tranzystorach polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik) odgrywa kluczową rolę w ich działaniu i wydajności. W tranzystorach MOSFET podłożem jest zwykle materiał krzemowy, z którego wykonany jest tranzystor. Podłoże jest domieszkowane do określonego typu (typu n lub typu p) i służy jako fundament lub podstawa struktury tranzystora. Zapewnia mechaniczne wsparcie dla elementów tranzystora, a także działa jako elektroda tylnej bramki w tranzystorach MOSFET.
W tranzystorach MOSFET celem podłoża jest przede wszystkim zapewnienie podstawy dla struktury tranzystora i działanie jako elektroda tylnej bramki. Podłoże jest zwykle domieszkowane krzemem typu n lub p, w zależności od tego, czy MOSFET jest NMOS (n-kanałowy MOSFET), czy PMOS (p-kanałowy MOSFET). Podłoże jest elektrycznie odizolowane od obszaru kanału i zwykle jest podłączone do najbardziej ujemnego napięcia w obwodzie (często do masy w obwodach cyfrowych) w celu kontrolowania napięcia progowego i zapewnienia prawidłowej pracy tranzystora.
Podłoże tranzystora odnosi się do materiału, na którym zbudowany jest tranzystor. W tranzystorach MOSFET podłożem jest zazwyczaj płytka krzemowa domieszkowana zanieczyszczeniami w celu uzyskania pożądanych właściwości elektrycznych (typu n lub typu p). Podłoże zapewnia wsparcie strukturalne dla elementów tranzystora, a także odgrywa zasadniczą rolę w zachowaniu elektrycznym tranzystora, szczególnie w tranzystorach MOSFET, gdzie służy jako elektroda tylnej bramki.
W tranzystorach JFET (Junction Field-Effect Transistors) podłoże odgrywa podobną rolę jak w tranzystorach MOSFET, ale z pewnymi różnicami w konstrukcji. JFET są zwykle zbudowane na podłożu półprzewodnikowym (często krzemowym) z obszarem kanałowym pomiędzy dwoma silnie domieszkowanymi obszarami zwanymi źródłem i drenem. Podłoże w tranzystorach JFET pomaga podeprzeć kanał i służy jako podstawa do tworzenia niezbędnych właściwości elektrycznych do kontrolowania przepływu prądu przez urządzenie.
W NMOS (n-kanałowe tranzystory MOSFET) i PMOS (p-kanałowe tranzystory MOSFET) podłoże odnosi się do materiału krzemowego, z którego wykonany jest tranzystor. W przypadku tranzystorów NMOS podłożem jest zwykle krzem typu p, natomiast w przypadku tranzystorów PMOS podłożem jest krzem typu n. To domieszkowanie podłoża determinuje typ tranzystora (NMOS lub PMOS) i wpływa na jego właściwości elektryczne, takie jak napięcie progowe i rodzaj przewodności. Podłoże w tranzystorach NMOS i PMOS zapewnia podstawę strukturalną i charakterystykę elektryczną niezbędną do działania tego typu tranzystorów MOSFET w układach scalonych i innych urządzeniach elektronicznych.