MOSFET (tranzystor polowy metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy) to rodzaj tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Kontroluje przepływ prądu pomiędzy dwoma zaciskami (źródłem i drenem) za pomocą trzeciego zacisku (bramki), który jest odizolowany od głównego kanału przewodzącego cienką warstwą tlenku. Kiedy do bramki przykładane jest napięcie, wytwarza ono pole elektryczne, które modyfikuje przewodność kanału, umożliwiając lub uniemożliwiając przepływ prądu. Tranzystory MOSFET są szeroko stosowane w obwodach cyfrowych i analogowych, zarządzaniu energią i wzmacnianiu.
MOSFET działa na zasadzie kontrolowania przewodności kanału półprzewodnikowego za pomocą pola elektrycznego. Pole to jest generowane przez napięcie przyłożone do końcówki bramki, która jest oddzielona od kanału cienką warstwą izolacyjną z dwutlenku krzemu. Napięcie bramki wpływa na koncentrację elektronów lub dziur w kanale, regulując w ten sposób przepływ prądu pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Możliwość kontrolowania przepływu prądu przy minimalnym prądzie bramki sprawia, że tranzystory MOSFET są bardzo wydajne i wszechstronne.
MOSFET e (MOSFET w trybie wzmocnienia) działa poprzez zwiększenie przewodności kanału w odpowiedzi na napięcie bramki. W n-kanałowym e MOSFET-ie, gdy do bramki zostanie przyłożone napięcie dodatnie, przyciąga ono elektrony w stronę bramki, tworząc kanał przewodzący pomiędzy źródłem a drenem. Umożliwia to przepływ prądu przez urządzenie. I odwrotnie, w e MOSFET-ie z kanałem p ujemne napięcie bramki przyciąga dziury, tworząc kanał przewodzący. Bez napięcia bramki kanał nie przewodzi, co oznacza, że MOSFET jest normalnie wyłączony.
Przykładem tranzystora MOSFET jest IRF540N, który jest n-kanałowym MOSFET-em w trybie wzmocnienia, powszechnie stosowanym w zastosowaniach energoelektroniki. Może obsługiwać wysokie prądy i napięcia, dzięki czemu nadaje się do obwodów zasilania, sterowników silników i regulatorów przełączających. IRF540N znany jest z niskiej rezystancji włączenia i możliwości szybkiego przełączania, które poprawiają wydajność urządzeń, w których jest używany.
Efekt ciała w MOSFET-ie odnosi się do wpływu różnicy napięcia pomiędzy korpusem (lub podłożem) a zaciskiem źródła na napięcie progowe MOSFET-u. Kiedy ta różnica napięcia się zmienia, zmienia się napięcie progowe, które jest minimalnym napięciem bramki wymaganym do utworzenia kanału przewodzącego między źródłem a drenem. Efekt ciała może wpływać na wydajność MOSFET-u poprzez modyfikację właściwości kanału, takich jak jego przewodność i zachowanie przełączania. Efekt ten jest szczególnie istotny w układach scalonych, gdzie korpus często jest podłączony do stałego potencjału.