Tranzystor bipolarny (BJT) i tranzystor polowy z tlenkiem metalu i półprzewodnikiem (MOSFET) to typy tranzystorów, ale działają na różnych zasadach i mają odmienną charakterystykę. BJT to urządzenie sterowane prądem, które opiera się na ruchu nośników ładunku (elektronów i dziur) w materiale półprzewodnikowym. Składa się z trzech warstw materiału półprzewodnikowego (P-N-P lub N-P-N) i działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu pomiędzy zaciskami emitera i kolektora za pomocą małego prądu doprowadzanego do zacisku podstawy.
Natomiast MOSFET jest urządzeniem sterowanym napięciem, opartym na modulacji przewodności kanału półprzewodnikowego za pomocą pola elektrycznego. Zawiera elektrodę bramkową oddzieloną od kanału cienką warstwą tlenku (stąd nazwa Metal-Oxide-Semiconductor), która działa jak izolator. Zmieniając napięcie przyłożone do zacisku bramki, MOSFET może kontrolować przepływ prądu pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Tranzystory MOSFET są powszechnie stosowane do szybkiego przełączania i wzmacniania w obwodach cyfrowych i analogowych ze względu na ich wysoką impedancję wejściową i niskie zużycie energii.
Termin „tranzystor” jest często używany jako termin ogólny w odniesieniu zarówno do tranzystorów BJT, jak i tranzystorów MOSFET, które są dwoma głównymi typami tranzystorów szeroko stosowanymi w elektronice. Chociaż zarówno BJT, jak i MOSFET są zdolne do wzmacniania i przełączania funkcji, ich zasady działania, konstrukcja i charakterystyka działania znacznie się różnią. BJT są znane ze swoich możliwości wzmocnienia prądu i stosunkowo niższej impedancji wejściowej w porównaniu z tranzystorami MOSFET. Z drugiej strony tranzystory MOSFET oferują wysoką impedancję wejściową, niski poziom szumów i wydajną charakterystykę przełączania.
Główna różnica między BJT a tranzystorem polowym (FET), który obejmuje tranzystory MOSFET, polega na ich trybie działania. BJT to urządzenia sterowane prądem, w których prąd bazowy kontroluje przepływ prądu między emiterem a kolektorem. Tranzystory FET, w tym MOSFET, to urządzenia sterowane napięciem, w których napięcie bramki-źródła kontroluje przepływ prądu pomiędzy zaciskami źródła i drenu przez kanał. Ta zasadnicza różnica w mechanizmie sterowania prowadzi do różnic w charakterystykach, takich jak impedancja wejściowa, rozpraszanie mocy i prędkość działania pomiędzy BJT i FET.
Termin „prosty tranzystor” zazwyczaj odnosi się do BJT w porównaniu z bardziej złożoną strukturą i działaniem tranzystorów MOSFET. BJT są znane z prostej konstrukcji z trzema warstwami półprzewodników i prostych konfiguracji polaryzacji. W przeszłości były one szeroko stosowane w obwodach analogowych do zastosowań wzmacniających i przełączających. Tranzystory MOSFET, podobnie jak tranzystory, są uważane za bardziej zaawansowane ze względu na ich zdolność do pracy na wyższych częstotliwościach, mniejsze zużycie energii i kompatybilność z technologią układów scalonych. Zatem różnica między BJT a „prostym tranzystorem” często odnosi się do podstawowej struktury BJT i tradycyjnych zastosowań w porównaniu z zaawansowanymi funkcjami i wszechstronnością tranzystorów MOSFET we współczesnej elektronice.