Proces wytwarzania tranzystorów polowych z połączeniem bipolarnym (BJT) jest rzadziej stosowany i droższy w porównaniu z tranzystorami polowymi z tlenkiem metalu i półprzewodnikiem (MOSFET), głównie ze względu na różnice w ich złożoności strukturalnej i technikach produkcji. BJT wymagają bardziej skomplikowanych procesów obejmujących domieszkowanie i precyzyjne ustawienie wielu warstw w celu utworzenia połączeń niezbędnych do ich działania. Ta złożoność zwiększa koszty produkcji i sprawia, że proces wytwarzania jest trudniejszy i bardziej czasochłonny w porównaniu z tranzystorami MOSFET. Z drugiej strony tranzystory MOSFET korzystają z prostszych procesów produkcyjnych, które są bardziej kompatybilne z nowoczesnymi technologiami wytwarzania półprzewodników, takimi jak procesy komplementarnych półprzewodników metalowo-tlenkowych (CMOS) stosowane w produkcji obwodów scalonych (IC).
Tranzystory MOSFET są szerzej stosowane w nowoczesnej elektronice niż BJT ze względu na kilka zalet, jakie oferują. Tranzystory MOSFET charakteryzują się niższym zużyciem energii, wyższymi prędkościami przełączania i skalowalnością do mniejszych rozmiarów w porównaniu do tranzystorów BJT. Te cechy sprawiają, że tranzystory MOSFET są idealne do zastosowań wymagających wydajnego zarządzania energią, szybkiego przełączania i integracji ze złożonymi układami scalonymi. Dodatkowo tranzystory MOSFET można łatwo zintegrować z technologią CMOS, co pozwala na wytwarzanie mniejszych, gęstszych i bardziej wydajnych urządzeń półprzewodnikowych w porównaniu z BJT.
Tranzystory MOSFET są ogólnie uważane za lepsze niż BJT w technologii wytwarzania układów scalonych, głównie ze względu na ich kompatybilność z procesami CMOS. Technologia CMOS umożliwia integrację tranzystorów MOSFET z kanałem n i p na tym samym podłożu półprzewodnikowym, co pozwala na budowę obwodów komplementarnych, które zużywają bardzo mało energii w stanie bezczynności. Możliwość ta ma kluczowe znaczenie przy projektowaniu energooszczędnych obwodów cyfrowych i mikroprocesorów, gdzie zużycie energii i rozpraszanie ciepła są czynnikami krytycznymi. Natomiast tranzystory BJT są mniej kompatybilne z procesami CMOS i są zwykle używane w określonych zastosowaniach, w których ich charakterystyka wydajności, taka jak duże wzmocnienie prądowe i niski poziom szumów, jest korzystna.
Pod względem kosztów tranzystory MOSFET są generalnie bardziej opłacalne niż BJT z kilku powodów. Prostsze procesy produkcyjne tranzystorów MOSFET zmniejszają koszty produkcji i zwiększają wydajność w porównaniu z bardziej złożonymi technikami produkcji wymaganymi w przypadku tranzystorów BJT. Dodatkowo skalowalność tranzystorów MOSFET do mniejszych rozmiarów pozwala na wyprodukowanie większej liczby tranzystorów na pojedynczej płytce półprzewodnikowej, co dodatkowo zmniejsza koszt na tranzystor w porównaniu z BJT. Te korzyści kosztowe przyczyniają się do powszechnego stosowania tranzystorów MOSFET w elektronice użytkowej, telekomunikacji i zastosowaniach przemysłowych.
Kilka zalet tranzystorów MOSFET w porównaniu z BJT sprawia, że są one bardziej praktyczne w użyciu w układach scalonych i procesorach. Tranzystory MOSFET oferują wyższą impedancję wejściową, co zmniejsza skutki obciążenia w obwodach i pozwala na łatwiejsze połączenie z innymi komponentami elektronicznymi. Mają także niższy pobór mocy statycznej ze względu na kompatybilność z CMOS, umożliwiając energooszczędną pracę w urządzeniach zasilanych bateryjnie i redukując wytwarzanie ciepła w układach scalonych o dużej gęstości. Dodatkowo tranzystory MOSFET mogą przełączać się szybciej i przy mniejszych stratach mocy w porównaniu do tranzystorów BJT, dzięki czemu nadają się do szybkich cyfrowych obwodów logicznych i pamięci. Te zalety sprawiają, że tranzystory MOSFET są niezbędnymi komponentami w nowoczesnych projektach układów scalonych, gdzie wydajność, wydajność i możliwości integracji są najważniejsze.