MOSFET jest bardziej preferowany w przypadku zintegrowanych chipów niż BJT ze względu na jego doskonałą skalowalność i większą gęstość integracji. Tranzystory MOSFET mogą być bardzo małe, co ma kluczowe znaczenie w przypadku upakowania dużej liczby tranzystorów w jednym chipie. Ta miniaturyzacja pozwala na większą złożoność obwodów i lepszą wydajność w nowoczesnej elektronice. Dodatkowo tranzystory MOSFET charakteryzują się niższym zużyciem energii, co jest niezbędne w przypadku urządzeń zasilanych bateryjnie i zmniejsza wytwarzanie ciepła w gęsto upakowanych obwodach.
W układach scalonych (IC) preferowane są tranzystory MOSFET w porównaniu z BJT ze względu na ich wysoką impedancję wejściową i niskie wymagania dotyczące mocy. Wysoka impedancja wejściowa tranzystorów MOSFET oznacza, że pobierają one minimalny prąd z poprzednich stopni obwodu, zachowując integralność sygnału i zmniejszając zużycie energii. Ta cecha, w połączeniu z możliwością pracy przy niższych napięciach, sprawia, że tranzystory MOSFET są bardziej wydajne i odpowiednie dla kompaktowych środowisk o niskim poborze mocy, typowych dla układów scalonych.
Tranzystory MOSFET są lepsze niż BJT w technologii wytwarzania układów scalonych, ponieważ są łatwiejsze w produkcji przy użyciu standardowych technik przetwarzania krzemu. Tranzystory MOSFET wymagają mniejszej liczby etapów procesu produkcyjnego, co prowadzi do wyższej wydajności i niższych kosztów. Proces produkcyjny pozwala również na precyzyjną kontrolę właściwości elektrycznych tranzystorów MOSFET, czyniąc je wysoce niezawodnymi i spójnymi w działaniu, co ma kluczowe znaczenie w przypadku produkcji układów scalonych na dużą skalę.
Tranzystory MOSFET są preferowane w stosunku do BJT jako elementy przełączające w konwerterach ze względu na ich większe prędkości przełączania i mniejsze straty przełączania. Tranzystory MOSFET mogą włączać się i wyłączać znacznie szybciej niż tranzystory BJT, co zwiększa wydajność i wydajność konwerterów mocy. Niższe straty przełączania tranzystorów MOSFET zmniejszają wytwarzanie ciepła i poprawiają ogólną efektywność energetyczną, co czyni je idealnymi do zastosowań wymagających wysokiej częstotliwości i wysokiej wydajności, takich jak przetwornice DC-DC i zasilacze.
W wielu zastosowaniach tranzystory MOSFET są preferowane w stosunku do tranzystorów (BJT) ze względu na ich wyższą wydajność, większe prędkości przełączania i większą stabilność termiczną. Tranzystory MOSFET wymagają mniejszego prądu sterującego, co prowadzi do mniejszego zużycia energii w obwodach sterujących. Wysoka impedancja wejściowa i krótki czas reakcji sprawiają, że nadają się do szerokiego zakresu zastosowań, od obwodów cyfrowych po zarządzanie energią. Zdolność do wydajnej pracy przy niskich napięciach i obsługi wyższych gęstości prądu dodatkowo zwiększa ich przydatność do nowoczesnych urządzeń i systemów elektronicznych.