W tranzystorze MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) zaciski drenu i źródła mogą być wymienne pod względem fizycznego rozmieszczenia na matrycy półprzewodnikowej. Elastyczność ta wynika z faktu, że działanie MOSFET-u jest kontrolowane przede wszystkim przez napięcie przyłożone do zacisku bramki w stosunku do zacisku źródła. Drenaż i źródło różnią się funkcjami: dren to miejsce, w którym prąd wpływa lub wypływa z urządzenia, natomiast źródło to miejsce, w którym prąd wypływa lub wchodzi, w zależności od tego, czy jest to MOSFET z kanałem N, czy z kanałem P. Kierunek przepływu prądu określa rolę urządzenia jako źródła lub drenu.
Stężenie domieszek (zanieczyszczeń decydujących o przewodności) może rzeczywiście różnić się pomiędzy obszarem źródła i drenu w MOSFET-ie. Ta asymetria jest typowa w produkcji MOSFET-ów i ma na celu optymalizację wydajności urządzenia. Jednakże wymienność drenu i źródła pod względem ich fizycznego położenia nie oznacza, że stężenia domieszek muszą być identyczne. Zmiany w stężeniu domieszki są często celowe, aby osiągnąć określone właściwości elektryczne, takie jak zwiększenie przepływu prądu lub zminimalizowanie prądów upływowych.
W złączowym tranzystorze polowym (JFET) zaciski źródła i drenu nie są wymienne ze względu na fizyczną konstrukcję i domieszkowanie materiału półprzewodnikowego. JFET są zazwyczaj urządzeniami symetrycznymi, co oznacza, że źródło i dren są równoważne pod względem struktury i stężenia domieszki. Jednak ich role są określone przez warunki polaryzacji: źródło znajduje się tam, gdzie prąd wpływa do urządzenia, a dren jest tam, gdzie wypływa.
Przepływ prądu w MOSFET-ie płynie od zacisku drenu do zacisku źródła lub odwrotnie, w zależności od typu urządzenia (kanał N lub kanał P) i warunków polaryzacji zastosowanych na zacisku bramki. Sterowanie przepływem prądu odbywa się poprzez zmianę napięcia przyłożonego do bramki względem zacisku źródła, co moduluje przewodność kanału pomiędzy źródłem a drenem.
Jeśli zaciski drenu i źródła tranzystora MOSFET zostaną przypadkowo zwarte, może to prowadzić do nieprawidłowej lub niekontrolowanej pracy urządzenia. Zwarcie drenu i źródła skutecznie omija normalny mechanizm kontrolny zapewniany przez napięcie bramki. Taka sytuacja może spowodować nadmierny przepływ prądu przez urządzenie, co może prowadzić do przegrzania, uszkodzenia, a nawet zniszczenia MOSFET-u. Właściwa konstrukcja obwodów i obsługa są niezbędne, aby zapobiec takim przypadkowym zwarciom i zapewnić niezawodne działanie tranzystorów MOSFET w obwodach elektronicznych.