Wat is het verschil tussen MOSFET en FET?
De term FET (Field-Effect Transistor) is een brede categorie die verschillende typen transistors omvat waarbij de geleidbaarheid tussen twee aansluitingen (source en drain) wordt geregeld door een elektrisch veld dat wordt aangelegd op een derde aansluiting (gate). MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is een specifiek type FET dat een metaaloxide-halfgeleiderstructuur in zijn poortgebied bevat. Daarom is MOSFET een subset van FET’s die zich onderscheidt door zijn poortstructuur.
Het fundamentele verschil tussen FET en MOSFET ligt in hun poortstructuur en werking. FET’s omvatten over het algemeen verschillende typen, zoals JFET’s (Junction Field-Effect Transistors) en MOSFET’s. MOSFET’s maken specifiek gebruik van een metaaloxide-halfgeleiderstructuur in het poortgebied, wat een efficiënte controle van de geleidbaarheid van de transistor mogelijk maakt en een hoge ingangsimpedantie en lage ingangsstroomvereisten mogelijk maakt in vergelijking met andere typen FET’s.
MOSFET staat voor Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. De term “FET” verwijst naar de bredere categorie transistors die werken volgens het principe van veldeffect, waarbij een elektrisch veld de stroomstroom tussen source- en drainterminals regelt. MOSFET’s worden FET’s genoemd omdat ze tot deze categorie behoren en zich onderscheiden door het gebruik van een metaaloxide-halfgeleiderstructuur in hun poortgebied, wat hun prestaties en veelzijdigheid verbetert in vergelijking met andere typen FET’s zoals JFET’s.
We gebruiken MOSFET’s vaak boven andere typen FET’s vanwege hun voordelige eigenschappen. MOSFET’s bieden een hoge ingangsimpedantie, lage ingangsstroomvereisten en de mogelijkheid om snel te schakelen met minimaal vermogensverlies. Deze eigenschappen maken MOSFET’s ideaal voor toepassingen die efficiënte vermogensschakeling, versterking in audio- en radiofrequentiecircuits vereisen, en als fundamentele bouwstenen in digitale logische circuits en geïntegreerde schakelingen (IC’s). Hun compatibiliteit met CMOS-technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) zorgt er ook voor dat ze op grote schaal worden gebruikt in de moderne halfgeleiderproductie.
Het belangrijkste verschil tussen een FET (Field-Effect Transistor) en een conventionele bipolaire transistor (BJT – Bipolar Junction Transistor) ligt in hun fundamentele werkingsprincipes. FET’s werken op basis van de controle van de stroom door een elektrisch veld dat wordt aangelegd aan een halfgeleiderkanaal, zonder dat er een aanzienlijke ingangsstroom naar de poortaansluiting nodig is. BJT’s worden daarentegen bestuurd door de stroom die door de basisterminal vloeit, die de stroom tussen de collector- en emitterterminals moduleert. Dit verschil resulteert erin dat FET’s doorgaans een hogere ingangsimpedantie, een lager energieverbruik en snellere schakelsnelheden hebben in vergelijking met BJT’s, waardoor FET’s voordelig zijn voor bepaalde toepassingen, zoals hoogfrequente signaalverwerking, digitale circuits en apparaten met een laag vermogen.