Het belangrijkste verschil tussen BJT (Bipolar Junction Transistor) en FET (Field-Effect Transistor) ligt in hun fundamentele werkingsprincipes en constructie. BJT’s regelen de stroom door de injectie en diffusie van ladingsdragers (elektronen en gaten) tussen hun emitter-, basis- en collectorterminals. Ze worden geclassificeerd in NPN- en PNP-typen op basis van de dotering van hun halfgeleidermaterialen. FET’s regelen daarentegen de stroom door de geleidbaarheid tussen hun source- en drain-terminals te moduleren met behulp van een elektrisch veld dat wordt gegenereerd door de spanning die op de gate-terminal wordt aangelegd. Deze spanningsgestuurde werking onderscheidt FET’s van BJT’s, dit zijn stroomgestuurde apparaten.
Het belangrijkste verschil tussen BJT en FET is hun werkingswijze: BJT’s regelen de stroom met behulp van stroominjectie in de basisterminal, terwijl FET’s de stroom regelen met behulp van een elektrisch veld dat wordt aangelegd op de gate-terminal.
BJT’s zijn doorgaans sneller dan FET’s in schakeltoepassingen omdat ze hogere stroomdichtheden en snellere schakelsnelheden kunnen bereiken dankzij de directe injectie en diffusie van ladingsdragers tussen terminals. Deze eigenschap maakt BJT’s voordelig in toepassingen die snel schakelen en hoogfrequente werking vereisen, zoals in analoge circuits en bepaalde digitale circuits.
Een transistor is een brede term die zowel BJT’s als FET’s omvat. Het belangrijkste verschil tussen een transistor en een BJT ligt specifiek in hun structuur en werkingswijze. Een transistor verwijst naar elk halfgeleiderapparaat dat elektrische signalen kan versterken of schakelen. BJT’s werken, als een type transistor, door de stroom te regelen door de basisstroom te variëren, wat de collector-emitterstroom beïnvloedt. Dit controlemechanisme onderscheidt BJT’s van andere typen transistors, zoals FET’s, die werken via spanningsgestuurde modulatie van de stroomsterkte.
FET staat voor Field Effect Transistor. Het verwijst naar een type transistor waarbij de stroom tussen source- en drain-terminals wordt bestuurd door een elektrisch veld dat wordt gegenereerd door de spanning die op de gate-terminal wordt aangelegd. FET’s omvatten verschillende typen, zoals MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor FET’s) en JFET’s (Junction Field-Effect Transistors), elk met specifieke kenmerken en toepassingen op basis van hun structuur en werkingsprincipes.