Het substraat in FET’s (Field Effect Transistors) en MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) speelt een cruciale rol in hun werking en prestaties. Bij MOSFET’s is het substraat doorgaans het siliciummateriaal waarop de transistor is vervaardigd. Het substraat is gedoteerd tot een specifiek type (n-type of p-type) en dient als basis of basis van de transistorstructuur. Het biedt mechanische ondersteuning voor de transistorcomponenten en fungeert ook als achterpoortelektrode in MOSFET’s.
Bij MOSFET’s is het doel van het substraat in de eerste plaats het verschaffen van een basis voor de transistorstructuur en het fungeren als achterpoortelektrode. Het substraat is doorgaans gedoteerd om ofwel n-type ofwel p-type silicium te zijn, afhankelijk van of de MOSFET een NMOS (n-kanaal MOSFET) of PMOS (p-kanaal MOSFET) is. Het substraat is elektrisch geïsoleerd van het kanaalgebied en is meestal verbonden met de meest negatieve spanning in het circuit (vaak geaard in digitale circuits) om de drempelspanning te regelen en een goede werking van de transistor te garanderen.
Het substraat van een transistor verwijst naar het materiaal waarop de transistor is gebouwd. Bij MOSFET’s is het substraat doorgaans een siliciumwafel die is gedoteerd met onzuiverheden om de gewenste elektrische kenmerken te creëren (n-type of p-type). Het substraat biedt structurele ondersteuning voor de transistorcomponenten en speelt ook een essentiële rol in het elektrische gedrag van de transistor, vooral in MOSFET’s waar het als achterpoortelektrode dient.
Bij JFET’s (Junction Field-Effect Transistors) speelt het substraat een vergelijkbare rol als bij MOSFET’s, maar met enkele verschillen in constructie. JFET’s zijn doorgaans gebouwd op een halfgeleidersubstraat (vaak silicium) met een kanaalgebied tussen twee zwaar gedoteerde gebieden, source en drain genoemd. Het substraat in JFET’s helpt het kanaal te ondersteunen en dient als basis voor het creëren van de noodzakelijke elektrische kenmerken voor het regelen van de stroom door het apparaat.
In NMOS (n-kanaal MOSFET’s) en PMOS (p-kanaal MOSFET’s) verwijst het substraat naar het siliciummateriaal waarop de transistor is vervaardigd. Voor NMOS-transistors is het substraat doorgaans silicium van het p-type, terwijl het substraat voor PMOS-transistors silicium van het n-type is. Deze substraatdotering bepaalt het type transistor (NMOS of PMOS) en beïnvloedt de elektrische kenmerken ervan, zoals drempelspanning en geleidingstype. Het substraat in NMOS- en PMOS-transistors biedt de structurele basis en elektrische kenmerken die nodig zijn voor de werking van dit soort MOSFET’s in geïntegreerde schakelingen en andere elektronische apparaten.