Enhancement-mode MOSFET’s hebben voor schakeldoeleinden de voorkeur boven depletion-mode MOSFET’s, voornamelijk vanwege hun eenvoudigere bediening en lagere energieverbruikskarakteristieken. In een MOSFET met verbeterde modus bestaat er geen kanaal tussen de source- en drain-terminals zonder dat er een positieve poortspanning wordt toegepast, wat betekent dat het op natuurlijke wijze de stroom blokkeert als het is uitgeschakeld. Deze eigenschap maakt nauwkeurige controle van schakelhandelingen mogelijk met minimaal stroomverbruik, aangezien de MOSFET alleen stroom geleidt wanneer deze specifiek wordt geactiveerd door een spanning die op de poortaansluiting wordt aangelegd. MOSFET’s in de uitputtingsmodus hebben daarentegen standaard een geleidend kanaal en hebben een negatieve poortbronspanning nodig om uit te schakelen, wat hun controle bemoeilijkt en het energieverbruik in stand-by verhoogt.
Het verschil tussen MOSFET’s in de Enhancement- en Depletion-modus ligt voornamelijk in hun standaard geleidende toestand en besturingskarakteristieken. Enhancement-mode MOSFET’s hebben een positieve poortspanning nodig om een geleidend kanaal tussen de source- en drain-terminals te induceren, waardoor ze effectief worden ingeschakeld voor de stroom. MOSFET’s in de uitputtingsmodus hebben daarentegen standaard een geleidend kanaal en vereisen een negatieve poortbronspanning om de geleidbaarheid van het kanaal uit te putten of te verminderen, waardoor ze worden uitgeschakeld. Dit fundamentele verschil in werking heeft invloed op de manier waarop deze MOSFET-typen worden gebruikt en bestuurd in elektronische circuits, vooral in schakeltoepassingen.
Welk type MOSFET beter is, hangt af van de specifieke toepassingsvereisten. Enhancement-mode MOSFET’s hebben over het algemeen de voorkeur voor schakeltoepassingen waarbij een laag stroomverbruik, nauwkeurige regeling en hoge schakelsnelheden van cruciaal belang zijn. Hun vermogen om uit te blijven zonder continue toepassing van poortspanning maakt ze efficiënt voor toepassingen die een minimaal stand-byvermogen vereisen. MOSFET’s in de uitputtingsmodus kunnen voordelig zijn in bepaalde analoge circuittoepassingen waarbij standaard een geleidend kanaal gunstig is, maar ze worden minder vaak gebruikt in moderne digitale en schakelcircuits vanwege hun hogere standby-stroomverbruik en complexere besturingsvereisten.
MOSFET’s hebben de voorkeur boven traditionele FET’s (Field-Effect Transistors), voornamelijk vanwege hun superieure prestatiekenmerken in termen van schakelsnelheid, energie-efficiëntie en integratiemogelijkheden. MOSFET’s bieden een lagere aan-weerstand (R_DS(on)) en poortcapaciteit, waardoor snellere schakelsnelheden en minder vermogensverliezen tijdens schakelhandelingen mogelijk zijn. Bovendien kunnen MOSFET’s worden vervaardigd met kleinere afmetingen en hogere stroomdragende capaciteiten in vergelijking met traditionele FET’s, waardoor ze ideaal zijn voor geïntegreerde schakelingen met hoge dichtheid en vermogenselektronicatoepassingen waarbij efficiëntie en miniaturisatie belangrijke overwegingen zijn.
Het verschil tussen de uitputtingsmodus en de verbeteringsmodus in een High Electron Mobility Transistor (HEMT) heeft betrekking op hun standaard geleidende toestanden en operationele kenmerken. In HEMT’s in depletion-modus bestaat er een geleidend kanaal tussen de source- en drain-terminals zonder enige toegepaste poortspanning, vergelijkbaar met MOSFET’s in depletion-modus. Het aanleggen van een poortbronspanning vermindert deze kanaalgeleiding. HEMT’s in de Enhancement-modus hebben daarentegen een positieve poortspanning nodig om een geleidend kanaal te creëren tussen de source- en drain-terminals, vergelijkbaar met MOSFET’s in de Enhancement-modus. De keuze tussen HEMT’s met uitputtingsmodus en verbeteringsmodus hangt af van specifieke circuitontwerpvereisten, zoals signaalversterking of schakeltoepassingen, waarbij beide standaard geleidende toestanden voordelig kunnen zijn.